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[资料] NETSOL STF4GE4U00M 4Gb M‐die SPI NAND Flash规格书/datasheet

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发表于 2022-2-26 09:38:39 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
STF4GE4U00M为4G位,备用容量为256Mbit。该器件采用3.3V电源供电。其NAND单元为固态大容量存储市场提供了最具成本效益的解决方案。内存被划分为可以独立擦除的块,因此可以在擦除旧数据的同时保留有效数据。该器件包含4096个块,由64个页面组成,这些页面由32个串联闪存单元的两个NAND结构组成。对2048字节的编程操作可以在典型的350µs内执行,在128Kbytes的块上可以在典型的4ms内执行擦除操作。片上写入控制可自动执行所有编程和擦除功能,包括必要时的脉冲重复以及数据的内部验证和裕度。通过提供ECC(纠错码)和实时映射算法,即使是写密集型系统也可以利用其50K编程/擦除周期的扩展可靠性。该器件具有串行外围接口和软件协议,允许在一个简单的3线总线,而它处于单I/O模式。这三个信号是时钟输入(SCLK)、串行数据输入(SI)和串行数据输出(SO)。对器件的串行访问由CS输入启用。当它处于四I/O读取模式时,SI引脚、SO引脚、WP引脚和HOLD引脚变为SIO0引脚、SIO1引脚、SIO2引脚SIO3引脚用于地址/虚拟位输入和数据输出。复制回功能允许优化缺陷块管理:当一个页面编程操作失败时,数据可以直接编程到同一阵列部分内的另一个页面中,而无需耗时的串行数据插入阶段。该器件是大型非易失性存储应用的最佳解决方案,例如固态文件存储和其他需要非易失性的便携式应用。发出编程/擦除命令后,自动编程/擦除算法对指定的页面或扇区进行编程/擦除和验证/block位置将被执行。一次最多可以编程2Kbytes。页面可以以128KB擦除为一组进行擦除。为了给用户提供方便的接口,包括一个状态寄存器来指示芯片的状态。可以发出状态读取命令以通过OIP位检测编程或擦除操作的完成状态。高级安全功能增强了保护和安全功能,请参阅安全功能部分了解更多详细信息。该设备支持JEDEC标准制造商和设备识别,具有8K字节(4页)安全OTP。该设备交付时已擦除内存阵列:全部位设置为1(每个字节包含FFh)。状态寄存器包含00h(所有状态寄存器位均为0)。
1.jpg

特征
●4G-bit SPI NAND FLASH
- 页面大小:2176 字节
- 块大小:64 页
- 设备大小:4096 块
●高级安全功能
- 8K 字节 OTP 区域
●支持标准、双路和四路 SPI
- 标准 SPI:SCLK、CS、SI、SO、WP、HOLD
- 双 SPI:SCLK、CS、SIO0、SIO1、WP、HOLD
- 四路 SPI:SCLK、CS、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3
●高时钟频率
- 高达 320Mbits/s 的四路 I/O 数据传输
- 2048/64/16 换行读取选项
●编程/擦除/读取周期时间
- 页面读取时间:45µs 典型值
- 页面编程时间:350µs 典型
- 块擦除时间:4ms 典型
●软件/硬件写保护
- 整个设备或块范围的软件保护
- 通过 WP 进行硬件保护
●高速缓存的高访问性能
- 缓存大小:2176 字节
●ECC保护:每 528 字节 8 位 ECC
●增强的功能
- 内部复位信号同步输出(定制)
- Block 0/Page 0 中的数据在上电后自动加载到缓存中
●卓越的电气性能
- 单电源电压:2.7~3.6V
- 工作电流 < 35mA
- 待机电流 < 100µA
●工作温度:0℃至+70℃

绝对最大额定值
ParameterSymbolRatingUnit
Storage Temperaturetstg-55 to+125°C
Input and output voltage (with respect to ground)VIO
-0.6 to Vcc+0.4V
Supply voltagevcc-0.6 to 4.6V
Electrostatic discharge voltage (Human Body model)*2VESD-2000 to 2000V


直流特性
SymbolParameterTest Condition (In addition to Operation Conditions)Min.Max.Unit
ILIInput leakage current± 10μa
IloOutput leakage current± 10μa
ICC1Standby currentCS = Vcc, Vin = Vss or Vcc100μa
ICC3Operating current (READ)SCLK = 0.1Vcc/0.9.Vcc2535mA
ICC4Operating current (Program)CS = Vcc2535mA
ICC5Operating current (Block Erase)CS = Vcc1530mA
VlLInput low voltage-0.50.3xVccV
VlHInput high voltage0.7xVccVcc+0.4V
VolOutput low voltageIol = 2.1mA0.4V
VohOutput high voltageI oh = -400μAVcc-0.2V


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发表于 2022-2-26 20:24:36 | 显示全部楼层 来自 上海市
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