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意法半导体STL9N3LLH5 30V/0.015Ω/9A功率MOSFET datasheet

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发表于 2022-4-5 10:00:01 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
STL9N3LLH5是使用STMicroelectronics的STripFET™ V技术开发的N沟道功率MOSFET。 该器件已经过优化,可实现极低的导通电阻,从而使FOM在同类产品中名列前茅。
1.jpg

特征
■ RDS(on) * Qg 行业标杆
■ 极低导通电阻 RDS(on)
■ 极低的开关栅极电荷
■ 高雪崩耐用性
■ 低栅极驱动功率损耗

绝对最大额定值
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-source voltage (VGS = 0)30V
VGSGate-source voltage±22V
IDDrain current (continuous) at Tc = 25 °C9A
IDDrain current (continuous) at Tc=100 °C6A
IDMDrain current (pulsed)36A
PTOTTotal dissipation at Tc = 25 °C50W
PTOTTotal dissipation at Tc = 25 °C2W
TJDerating factor0.4W/°C
TstgOperating junction temperature storage temperature-55 to 150°C


电气特性
(TCASE=25 °C,除非另有说明)
SymbolParameterTest conditionsMin.Typ.Max.Unit
V(BR)DSSDrain-source breakdown voltageId = 250μA, VGS=030V
IdssZero gate voltage drain current (VGS = 0)VDS = Max rating, VDS = Max rating @125 °C1,10μA
IGSSGate body leakage current (VDs = 0)VGS = ± 22 V±100nA
VGS(th)Gate threshold voltageVDS= VGS, ID = 250 µA12.5V
RDS(on)Static drain-source on-resistanceVGS= 10 V, ID= 4.5 A VGS= 4.5 V, ID= 4.5 A15,1919,22


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2022-3-31 18:36 上传
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