HN9921/HN9922/HN9923是内置
MOSFET开关的高压LED驱动控制IC,用于LED照明控制。它们允许从高达400VDC的电压源高效运行LED灯串。HN9921/22包括一个内部高压开关MOSFET,其固定关断时间TOFF约为10µs。LED串以恒定电流驱动,从而提供恒定的光输出和增强的可靠性。HN9921的输出电流在内部固定为20mA,HN9922为50mA,HN9923为30mA。峰值电流控制方案可在85至264VAC的通用交流线路电压范围或20至400V的直流输入电压范围内提供良好的输出电流调节。
特征:
•工作温度范围-40~+85ºС;
•MOSFET开关的导通电阻210欧姆;
•MOSFET开关的断态击穿电压不低于500V;
•
ESD等级500V
功能说明
HN9921/22/23是
PWM峰值电流
控制器,用于在连续导通模式(CCM)下控制降压转换器拓扑。输出电流在内部预设为20mA(HN9921)、50mA(HN9922)或30mA(HN9923)。当20至400V的输入电压出现在DRAIN引脚上时,内部高压线性稳压器试图在
VDD引脚上保持7VDC的电压。在此电压超过内部编程的欠压阈值之前,输出漏极是不导通的。当超过阈值时,漏极打开。输入电流开始流入漏极引脚。欠压比较器中提供迟滞以防止振荡。当输入电流超过内部预设电平时,电流检测比较器复位RS触发器,并且DRAIN关闭。同时,一个一次性电路被激活,它决定了关闭状态的持续时间(典型值为10µS)。这段时间一结束,触发器就会再次设置。新的开关周期开始。提供300nS的“消隐”延迟,以防止由于电路寄生引起的前沿尖峰而误触发电流检测比较器。
典型应用电路
绝对最大额定值
Symbol | Parameter | Min | Max | Unit |
Vdrain | Input voltage | -0.3 | 420 | V |
Vdd | Low-voltage part supply voltage | -0.3 | 10 | V |
电气参数
Symbol | Parameter | Test condition | Min | Max | Ambient tempera ture, °C | Unit |
Vddr | Regulator output voltage | VIN = (20- 400)V | 5,5 | 9,0 | 25 ±10 | V |
Idd | Low-voltage (control) part of IC consumptioncurrent | VDD = 9,5 V Vdrain = 40 V | - | 350 | | μA |
Ron | ON-resistance of the switch (DRAIN) | Vdd = Uddr 1 drain = 20 mA | - | 210 | | Ohm |
VVvlo | Undervoltage threshok (Low-voltage part of IC) | VDD = UUVLO
IDRAIN = 20mA(HN9921)
IDRAIN = 50mA(HN9922)
IDRAIN = 30mA(HN9923) | 4,0 | Vddr — 0,3 | | V |
ISAT | MOSFET saturation current (DRAIN pin) | Vdd= Vddr VSat = 50V | 100 | - | | mA |
Vbr | MOSFET switch breakdown voltage | Vdd = Vddr Idrain = 1 mA | 500 | | | V |
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