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[资料] 南京豪纳HT9425低噪声高频SiGe三极管(HBT)datasheet

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发表于 2022-4-26 15:28:57 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
HT9425是一个SiGe材料、双层多晶硅NPNHBT(异质结构双极晶体管)、超高频低噪声的放大器。它具有低噪声系数、高功率增益、高耐压、大动态范围和理想的线性特性。HT9425采用易布线设计的双发射脚位4引脚的SOT343R贴片式封装。

特点:
●工作电压: 2V—3V
●工作温度: -55℃—+85℃
●低噪声系数、高增益
NF=1.2dB (典型值), Ga=17dB (典型值)
@ VCE=2V, IC=25mA, f=2GHz
●高功率增益
Gmax=20dB (典型值)
@ VCE=2V, IC=25mA, f=2GHz
●传输频点高
●易布线设计的双发射脚4引脚的SOT343R贴片式封装
●与 Si 材料的 2SC5508 和 BFG425W 相比,SiGe材料的 HT9425,具有较高的电流增益,和优良的 RF 噪声特性

极限最大额定值:
符号
参数
最大值
单位
IC
集电极电流(DC)
30
mA
Ptot
全部功耗
135
mW
Tj
结温度
150
°C

说明:
超出上述极限最大额定值的状况会对器件参数造成损伤,这些值仅用于标称说明,不意味着建议的工作参数。处于极限最大额定值的情况下超过一定时间可能会影响器件的可靠性。

电气特性:
符号参数条件(Tamb=25°C)最小值典型值最大值单位
BVcbo集电极-基极击穿电压IC=2.5μA, IE=010————V
BVceo集电极-发射极击穿电压IC=1mA, IB=04.5————V
BVebo发射极-基极击穿电压IE=2.5μA, IC=01————V
IcBO集电极-基极漏电流IE=0, VCB=4.5V————80nA
hFE直流增益VCE=2V, IC=25mA50100140——
fT传输频率VCE=2V, IC=25mA, f=2GHz——25——GHz
Gmax最大功率增益VCE=2V, IC=25mA, f=2GHz——20——dB
S212功率增益VCE=2V, IC=25mA, f=2GHz——17——dB
Nf噪声系数VCE=2V, f=900MHz, S=Гopt——0.8——dB
VCE=2V, f=2GHz, S=Гopt——1.2——dB
P 1dB1dB压缩点的输出功率IC=25mA, VCE=2V, f=2GHz,
ZS=ZSopt, ZL=ZLopt
——12——dBm


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2022-4-26 15:28 上传
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