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HT9425是一个SiGe材料、双层多晶硅NPNHBT(异质结构双极晶体管)、超高频低噪声的放大器。它具有低噪声系数、高功率增益、高耐压、大动态范围和理想的线性特性。HT9425采用易布线设计的双发射脚位4引脚的SOT343R贴片式封装。
特点:
●工作电压: 2V—3V
●工作温度: -55℃—+85℃
●低噪声系数、高增益
NF=1.2dB (典型值), Ga=17dB (典型值)
@ VCE=2V, IC=25mA, f=2GHz
●高功率增益
Gmax=20dB (典型值)
@ VCE=2V, IC=25mA, f=2GHz
●传输频点高
●易布线设计的双发射脚4引脚的SOT343R贴片式封装
●与 Si 材料的 2SC5508 和 BFG425W 相比,SiGe材料的 HT9425,具有较高的电流增益,和优良的 RF 噪声特性
极限最大额定值:
符号 | 参数 | 最大值 | 单位 | IC | 集电极电流(DC) | 30 | mA | Ptot | 全部功耗 | 135 | mW | Tj | 结温度 | 150 | °C |
说明:
超出上述极限最大额定值的状况会对器件参数造成损伤,这些值仅用于标称说明,不意味着建议的工作参数。处于极限最大额定值的情况下超过一定时间可能会影响器件的可靠性。
电气特性:
符号 | 参数 | 条件(Tamb=25°C) | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | BVcbo | 集电极-基极击穿电压 | IC=2.5μA, IE=0 | 10 | —— | —— | V | BVceo | 集电极-发射极击穿电压 | IC=1mA, IB=0 | 4.5 | —— | —— | V | BVebo | 发射极-基极击穿电压 | IE=2.5μA, IC=0 | 1 | —— | —— | V | IcBO | 集电极-基极漏电流 | IE=0, VCB=4.5V | —— | —— | 80 | nA | hFE | 直流增益 | VCE=2V, IC=25mA | 50 | 100 | 140 | —— | fT | 传输频率 | VCE=2V, IC=25mA, f=2GHz | —— | 25 | —— | GHz | Gmax | 最大功率增益 | VCE=2V, IC=25mA, f=2GHz | —— | 20 | —— | dB | S212 | 功率增益 | VCE=2V, IC=25mA, f=2GHz | —— | 17 | —— | dB | Nf | 噪声系数 | VCE=2V, f=900MHz, S=Гopt | —— | 0.8 | —— | dB | VCE=2V, f=2GHz, S=Гopt | —— | 1.2 | —— | dB | P 1dB | 1dB压缩点的输出功率 | IC=25mA, VCE=2V, f=2GHz,
ZS=ZSopt, ZL=ZLopt | —— | 12 | —— | dBm |
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