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新唐MS51 32KB系列1T 8051 8位MCU技术参考手册 ...
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[单片机资料]
新唐MS51 32KB系列1T 8051 8位MCU技术参考手册
Hokkien
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Hokkien
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发表于 2022-5-5 14:41:06
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来自
广东省深圳市
MS51为带有flash的增强型8位8051内核
微控制器
(1T工作模式),指令集与标准的
80C51
完全兼容并具备更高效能。
MS51系列内嵌32K字节的Flash存储区,通常称作APROM,用于存放用户程序代码。该Flash存储区支持在应用编程(IAP)功能,即可通过片内固件更新程序代码。IAP功能同时提供用户可自行配置程序区域或数据存储区。IAP功能可以对数据存储区进行读写操作,同时读数据也可以通过
MOV
C指令来实现。MS51有一个额外的存储区称作LDROM,该区域通常存放用于执行在系统编程(ISP)的引导代码(bootcode),LDROM的大小最多可配置到4K字节。为了方便烧写和校验,整个flash区域支持并行烧录和ICP烧录。可通过加密位对Flash加密,保障程序代码无法被读出。MS5132K系列内嵌256字节SRAM,2K字节XRAM。
MS51 32KB系列提供丰富的特殊功能模块,包括:256字节SRAM,2K字节XRAM。最多可达29个标准管脚。两组标准16位定时器/计数器:定时器0及1,一组带有3路管脚输入捕获模式的16位定时器:定时器2,一组看门狗定时器(WDT),一组自唤醒定时器(WKT),一组带自动重装载功能,可用于产生标准波特率的定时器:定时器3。两组标准串行口(UART),这两组串行口具有帧错误侦测及自动地址识别功能。一组SPI,一组I2C,3组ISO7816-3标准界面,6通道标准型PWM输出,6路增强型PWM输出,16通道12位ADC。上述功能对应产生24个中断源,具有4级中断优先级配置。
MS51 32KB系列支持3组时钟源输入,所有时钟源支持软件切换立即生效功能(on-the-fly)。3组时钟源包括:外部时钟,10kHz内部RC振荡时钟和一个出厂时已校准到室温下精度达±1%的16MHz内部高速时钟。MS51提供额外的电源监控管理模块,例如上电复位和4级低电压检测,该模块用于保障
芯片
在上电及掉电时系统稳定工作。
MS51可运行在两种低功耗模式-空闲模式和掉电模式,可通过软件选择运行在哪种模式。空闲模式时,芯片主时钟关闭,但部分功能模块仍然运行。掉电模式下芯片全部时钟关闭确保芯片功耗达到最低。在正常工作模式下,也可选择主时钟除频方式工作,确保在功耗和性能之间灵活运用。高效能、丰富的功能模块及配置,MS51可灵活用于各种应用场合,家电产品,甚至是马达控制等高端需求控制系统。
特性
●8051
-全静态8位1T 8051内核CMOS微控制器
-指令集完全兼容 MCS-51
-4级优先级中断配置
-双数据指针(DPTRs)
●上电复位 (POR)
-POR 电压门限1.15V
●欠压检测 (BOD)
-4级电压选择支持欠压中断和复位功能(4.4V / 3.7V / 2.7V / 2.2V)
●低电压复位 (LVR)
-电压门限 2.0V
●安全
-96位唯一序列号(UID)
-128位用户码(UCID)
-128字节加密保护代码空间
●Flash
-32 KB应用代码空间(APROM) .
-4/3/2/1 KB 加载代码空间(LDROM), 与APROM共享Flash空间, 可利用ISP来引导代码来更新APROM
-支持内嵌内存128字节页擦除,可作为Data Flash使用
-128字节加密保护代码空间
-通过安全加锁位保护整块内存不被外部读取
-支持系统编程(ISP), 在应用编程(IAP) 更新内嵌内存
-支持通过SWD/ICE接口的2线ICP更新
封装类型
MSO
P10
TSS0P14
TSSOP20
QFN20
TSSOP28
LQFP32
QFN33
料号
MS51BA9AE
MS51DA9AE
MS51FB9AE MS51FC0AE
MS51XB9AE MS51XB9BE MS51XC0BE
MS51EC0AE
MS51PC0AE
MS51TC0AE
MS51 32KB系列框图
功能描述
1.内存架构
标准的基于80C51微控制器将内存分成两个不同的部分,编程内存和数据内存。编程内存用来存储指令代码。而数据内存用来存储编程执行过程中的数据或变量。
数据内存占用的地址空间独立于编程内存。在MS51中,有256字节内部RAM。针对于需要更多内部RAM的应用,MS51提供另外一个2K字节的片上RAM,叫做XRAM,通过MOVX指令访问。整个内置FLASH,作为编程存储器被分成了三块。应用ROM(APROM)通常存储用户代码,加载ROM(LDROM)通常存储启动代码,CONFIG字节作用于硬件初始化。事实上,APROM和LDROM功能相似,但是大小不一样,每一块由一页一页组成,每页大小是128字节。FLASH控制单元支持擦除、编程和读模式。使用外部烧写器是通过指定的I/O口烧写,在应用编程(IAP)或在系统编程(ISP)都可以执行这些模式。
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kami03372
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kami03372
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发表于 2022-5-5 15:49:39
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华_YuBL2
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华_YuBL2
发表于 2022-8-17 12:47:11
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谢谢LZ分享,回复看看资料
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鱼儿心
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鱼儿心
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发表于 2022-9-3 10:11:43
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我也说一句。。。。。
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fpga4567
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fpga4567
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发表于 2022-10-6 09:20:28
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wx_kaafo
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wx_kaafo
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发表于 2023-3-15 08:42:31
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想学习了,谢谢
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