Richtek(立锜)RT9193 300mA CMOS LDO调节器datasheet

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RT9193专为具有苛刻性能和空间要求的便携式射频和无线应用而设计。RT9193的性能针对电池供电系统进行了优化，可提供超低噪声和低静态电流。噪声旁路引脚可用于进一步降低输出噪声。稳压器接地电流在压差中仅略有增加，从而进一步延长了电池寿命。RT9193还可与低ESR陶瓷电容器配合使用，从而减少电源应用所需的电路板空间，这对于手持无线设备至关重要。RT9193在关机模式下功耗小于0.01uA，快速开启时间小于50us。其他特点包括超低压差、高输出精度、限流保护和高纹波抑制比。提供SC-70-5、SOT-23-5、TSOT-23-5、WDFN-6L2x2和MSOP-8封装。


特征
●用于射频应用的超低噪声
●线路/负载瞬态中的超快速响应
●快速启动（通常 50us）
●< 0.01uA 关机时待机电流
●低压差：220mV @ 300mA
●宽工作电压范围：2.5V 至 5.5V
●TTL 逻辑控制的关断输入
●低温系数
●限流保护
●热关断保护
●仅需 1uF 输出电容即可实现稳定性
●高电源抑制比
●可定制电压
●符合 RoHS 和 100% 无铅 (Pb)

绝对最大额定参数
●电源输入电压----------------------------------- 6V
●功耗，PD @ TA = 25°C
SC-70-5 -------------- 300mW
TSOT-23-5/SOT-23-5-------------------------------------------------- 400mW
WDFN-6L 2x2 ----------------------------- 606mW
MSOP-8 --------------- 625mW
●封装热阻（注4）
SOT-70-5, θJA --- 333°C/W
TSOT-23-5/SOT-23-5, θJA ---------------------------------- 250°C /W
WDFN-6L 2x2, θJA ---------------------------------------- 165°C/W
MSOP-8 θJA ------------------- 160°C/W
●结温-------------------------------- 150°C
●引线温度（焊接，10 秒） ------------------------- 260°C
●储存温度范围 ---------- -65°C 至 150°C
●ESD敏感性（注2）
HBM（人体模式）------------------------------------ 2kV
MM（机器模式）------------------------------------ 200V

电气特性
（VIN = VOUT + 1V，CIN = COUT = 1μF，CBP = 22nF，TA = 25°C，除非另有说明）

Parameter		Symbol	Test Conditions	Min	Typ	Max	Units
Output Voltage Accuracy		ΔVOUT	Iout = 1 mA	-2	—	+2	%
current Limit		ILIM	RLOAD = 1Ω	360	400	—	mA
Quiescent Current		IQ	VEN ≥ 1.2V, IOUT = 0mA	—	90	130	μA
Dropout Voltage (Note 5)		VDROP	Iout = 200mA, Vout > 2.8V		170	200	mV
			Iout = 300mA, Vout > 2.8V	—	220	300
Line Regulation		ΔVLINE	VIN = (VOUT + 1V) to 5.5V, IOUT = 1mA	—	—	0.3	%
Load Regulation		ΔVLOAD	1 mA < Iout < 300mA	—	—	0.6	%
Standby Current		ISTBY	Ven = GND, Shutdown	—	0.01	1	μA
EN Input Bias Current		IIBSD	Ven = GND or VIN	—	0	100	nA
EN Threshold	Logic-Low Voltage	VIL	Vin = 3V to 5.5V, Shutdown	—	—	0.4	V
	Logic-High Vbltage	VIH	Vin = 3V to 5.5V, start-Up	1.2	—	—
Output Noise Voltage		eNo	10Hz to 100kHz, IOUT = 200mA COUT = 1μF	—	100	—	μVRmS

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