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[MOSFET] 芯达茂XD007J065BX1H3 650V N-Channel MOSFET datasheet

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发表于 2022-5-12 17:44:36 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
XD007J065BX1H3特征:
●极低FOM (RDS(on) X Qg)
●极低的开关损耗
●优异的稳定性和均匀性
●100% 雪崩测试
●内置ESD二极管

应用
开关电源(SMPS)
●功率因数校正(PFC)
●TV电源&LED照明电源
●AC到DC转换器
●电信

除非另有说明,否则绝对最大额定值 TC=25℃
SymbolParameterValueUnit
VDSSDrain-Source Voltage650V
VgsGate-Source Voltage±20V
IdDrain Current        - Continuous (Tc = 25°C)7A
Drain Current        - Continuous (Tc= 100°C)4.2*A
IDMDrain Current         - Pulsed20*A
EASSingle Pulsed Avalanche Energy73mJ
IarAvalanche Current1.3A
dv/dtMOSFET dv/dt ruggedness, VDS=0...400V50V/ns
dv/dtReverse diode dv/dt, Vds=0...400V, Ids^Id15V/ns
PdPower Dissipation (Tc= 25°C)27W
VESD(G-S)Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5KQ)2000V
Tj, TstgOperating and Storage Temperature Range-55 to +150*C


漏源二极管特性和最大额定值
IsMaximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current--6.7A
ISMMaximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current--20A
VsdDrain-Source Diode Forward VoltageVGS = 0 V, IS = 2.9 A--1.3V
trrReverse Recovery TimeVR = 400 V, IF = 2.9 A
diF/dt = 100 A/μs
-250-ns
QrrReverse Recovery Charge-1.8-μC


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2022-5-12 17:44 上传
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发表于 2023-5-30 08:58:59 | 显示全部楼层 来自 四川省成都市
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