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[MOSFET] 芯达茂XD007M065BX1G2/L3/H3 650V/1.4Ω/7A MOSFET datasheet

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发表于 2022-5-17 17:19:15 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
XD007M065BX1G2/L3/H3是使用XDM生产的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。 改进的平面条纹单元和改进的保护环端子经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。

特征:
●100%雪崩测试
●简单的驱动需求
●快速切换
●7A,650V,RDS(on)(typ.)=1.2Ω@VGS=10V
●低栅极电荷
●低交叉
●改进的 dv/dt 能力

应用:
●LED 电源驱动器。
●AC-DC 电源。
●DC-DC转换器
●H 桥PWM 电机驱动器。
●逆变器系统的电源管理。

绝对最大额定值(TC=25C,除非另有说明)
CharacteristicsSymbolRatingsUnit
KM7N65KM7N65F
Drain-Source VoltageVds650V
Gate-Source VoltageVgs±30V
Drain CurrentTc=25°CId7A
Tc=100°C4.2
Drain Current PulsedIdm28A
Power Dissipation (Tc=25°C) -Derate above 25°CPd15048W
1.20.38w/°c
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 1)Eas398mJ
Operation Junction Temperature RatingTj-55~+150°C
Storage Temperature RatingTstg-55~+150°C


电气特性(TC=25℃,除非另有说明)
CharacteristicsSymbolTest conditionsMin.Typ-Max.Unit
Drain -Source Breakdown VoltageBVDSSVGS=0V, ID=250µA650V
Drain-Source Leakage CurrentIdssVDS=650V, VGS=0V1.0µA
Gate-Source Leakage CurrentIgssVGS=±30V, VDS=0V±100nA
Gate Threshold VoltageVGS(th)VGS= VDS, ID=250µA2.04.0V
On State ResistanceRDS(on)VGS=10V, ID=4.0A1.21.4Ω
Input CapacitanceCissVDS=25V, VGS=0V, f=1.0MHZ1212PF
Output CapacitanceCoss86
Reverse Transfer CapacitanceCrss3.8


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