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特征
• 极低 FOM (RDS(on) X Qg)
• 极低的开关损耗
• 出色的稳定性和均匀性
• 100% 雪崩测试
• 内置ESD 二极管
关键参数
| Parameter | Value | Unit | | BVDSS @Tj,max | 650 | V | | ID | 11 | A | | RDS(on), max | 0.38 | Ω | | Qg, Typ | 22.6 | nC |
应用
• 开关模式电源 (SMPS)
• 不间断电源 (UPS)
• 功率因数校正 (PFC)
• 电视电源和 LED 照明电源
• 交流到直流转换器
• 电信
绝对最大额定值
| Symbol | Parameter | Value | Unit | | Vdss | Drain-Source Voltage | 650 | V | | Vgs | Gate-Source Voltage | ±20 | V | | Id | Drain Current - Continuous (Tc = 25°C) | 11 * | A | | Drain Current - Continuous (Tc = 100°C) | 7* | A | | IDM | Drain Current - Pulsed | 31 * | A | | EAS | Single Pulsed Avalanche Energy | 133 | mJ | | I AR | Avalanche Current | 1.75 | A | | dv/dt | MOSFET dv/dt ruggedness, VDS=0…400V | 50 | V/ns | | dv/dt | Reverse diode dv/dt, VDS=0…400V, IDS≤ID | 15 | V/ns | | Pd | Power Dissipation (Tc= 25°C) | 30 | W | | VESD(G-S) | Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) | 2000 | V | | Tj, Tstg | Operating and Storage Temperature Range | -55 to +150 | °C |
闸电荷测试电路
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XD011J065BX1H3.pdf
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发表于 2022-5-19 15:57
