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[资料] 森利威尔SL2060 20V/85A/5mΩ增强型MOSFET datasheet

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发表于 2022-5-26 17:27:00 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市南山区
SL2060特征
·20V/85A,
-RDS(ON)=5mW(最大值)@VGS=10V
-RDS(ON)=6mW(最大值)@VGS=4.5V
-RDS(ON)=8.5mW(最大值)@VGS=2.5V
·可靠坚固
·提供无铅和绿色设备(符合RoHS)
1.jpg

应用
·动力马达控制
·工业用同步整流高频隔离DC-DC转换器
·负载切换

绝对最大额定值(TA = 25° C,除非另有说明)
SymbolParameterRatingUnit
Common Ratings
VdssDrain-Source Voltage20V
VgssGate-Source Voltage±12
TJMaximum Junction Temperature150°C
TstgStorage Temperature Range-55 to 150°C
IsDicxje Continuous Forward CurrentTc=25°C20A
IdContinuous Drain CurrentTc=25°C85*A
Tc=100°C70
IdmPulse Drain Current TestedTc=25°C260A
PdMaximum Power DissipationTc=25°C50W
Tc=100°C20
RθJCThermal Resistance-Junction to CaseSteady State2.5°C/W
IdContinuous Drain CurrentTa=25°C18A
Ta=70°C15
PdMaximum Power DissipationTa=25°C2.5W
Ta=70°C1.6
RθJAThermal Resistance-Junction to Ambientt ≤10s20°C/W
Steady State50
lASAvalanche Current, Single pulseL=0.5mH19A
EAsAvalanche Energy, Single pulseL=0.5mH212mJ


电气特性(TA = 25° C,除非另有说明)
SymbolParameterTest ConditionsMin.Typ.Max.Unit
Static Characteristics
BVDSSDrain-Source Breakdown VoltageVGS=0V, IDS=250μA20--V
IDSSZero Gate Voltage Drain CurrentVds=20V, Vgs=0V--1μA
Tj=85°C--30
VGS(th)Gate Threshold VoltageVds=Vgs, los=250μA0.50.751V
IGSSGate Leakage CurrentVgs=±12V,Vds=0V--±100nA
RDS(ON)Drain-Source On-state ResistanceVGS=10V, lDS=85A-3.25
Tj=125°C-3.9-
Vgs=4.5V, Ids=85A-4.06
Vgs=2.5V, Ids=60A-6.08.5


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2022-5-26 17:26 上传
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