SL3400是N沟道逻辑增强模式功率场效应
晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低通态电阻。这些器件特别适用于低电压应用，并且在外形非常小的表面贴装封装中需要低在线功率损耗。
特征
●30V/5.7A, RDS(ON)=18mΩ (typ.)@VGS=10V
●30V/5.0A, RDS(ON)=20mΩ (typ.)@VGS=4.5V
●30V/3.2A, RDS(ON)=25mΩ (typ.)@VGS=2.5V
●超高设计，极低 RDS(ON)
●卓越的导通电阻和最大直流电流能力
●完全符合 RoHS
●SOT23封装设计
应用
●
电源管理
●便携式设备
●DC/DC转换器
●负荷开关
●DSC
●
LCD显示逆变器
绝对最大额定值（TA = 25℃ 除非另有说明）
| Symbol | Parameter | Typical | Unit |
| Vdss | Drain-Source Voltage | 30 | V |
| Vgss | Gate-Source Voltage | ±12 | V |
| Id | Continuous Drain current (TJ=150°C) | VGS-4.5V | 5.8 | A |
| IDM | PulSED Drain Current | 25 | A |
| Is | Continuous Source Current (Diode Conduction) | 1.7 | A |
| Pd | power DisSIPation | Ta=25°C | 1.25 | W |
| Ta=70°C | 0.8 |
| Tj | Operation Junction Temperature | 150 | °C |
| Tstg | Storage Temperature Range | -55~+150 | °C |
| RθJA | Thermal Resistance Junction to Ambient | 90 | °C/W |
电气特性(TA=25℃ 除非另有说明)
| Symbol | Parameter | Condition | Min | Typ | Max | Unit |
| Static Parameters |
| V(BR)DSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, Id=250uA | 30 | | | V |
| VGS（th） | Gate Threshold Voltage | Vds=Vgs, Id=250uA | 0.5 | | 1 | V |
| Igss | Gate Leakage Current | Vds=0V, Vgs=±12V | | | ±100 | nA |
| Idss | Zero Gate Voltage Drain Current | Vds=24V, Vgs=0 | | | -1 | uA |
| Vds=24V, Vgs=0 Tj=55°C | | | -30 |
| Rds（on） | Drain-Source On-Resistance | VGS=10V, lD=5.7A | | 18 | 26 | mΩ |
| Vgs=4.5V, Id=5.0A | | 20 | 32 |
| Vgs=2.5V, Id=3.2A | | 24 | 46 |
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SL3400 30V5.7A 18毫欧SOT23-3L.pdf
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发表于 2022-5-31 09:56
