SL3402是N沟道逻辑增强模式功率场效应
晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低通态电阻。这些器件特别适用于低电压应用，并且在外形非常小的表面贴装封装中需要低在线功率损耗。
特征
●30V/4.0A, RDS(ON)=40mΩ (typ.)@VGS=10V
●30V/3.0A, RDS(ON)=45mΩ (typ.)@VGS=4.5V
●30V/2.0A, RDS(ON)=60mΩ (typ.)@VGS=2.5V
●超高设计，极低 RDS(ON)
●卓越的导通电阻和最大直流电流能力
●完全符合 RoHS
●SOT23封装设计
应用
●
电源管理
●便携式设备
●DC/DC转换器
●负荷开关
●DSC
●
LCD显示逆变器
绝对最大额定值（TA = 25℃ 除非另有说明）
| Symbol | Parameter | Typical | Unit |
| Vdss | Drain-Source Voltage | 30 | V |
| Vgss | Gate-Source Voltage | ±12 | V |
| Id | Continuous Drain current (TJ=150°C) | Vgs 4.5V | 4 | A |
| IDM | PulSED Drain Current | 15 | A |
| Is | Continuous Source Current (Diode Conduction) | 1.5 | A |
| Pd | power DisSIPation | Ta=25°C | 1.4 | W |
| Ta=70°C | 0.9 |
| Tj | Operation Junction Temperature | 150 | °C |
| Tstg | Storage Temperature Range | -55~+150 | °C |
| RθJA | Thermal Resistance Junction to Ambient | 90 | °C/W |
电气特性(TA=25℃ 除非另有说明)
| Symbol | Parameter | Condition | Min | Typ | Max | Unit |
| Static Parameters |
| V（BR）DSS | Drain-Source Breakdown Voltage | VGS=0V, Id=250uA | 30 | | | V |
| VGS（th） | Gate Threshold Voltage | Vds=Vgs, Id=250uA | 0.5 | | 1.5 | V |
| Igss | Gate Leakage Current | Vds=0V, Vgs=±12V | | | ±100 | nA |
| Idss | Zero Gate Voltage Drain Current | Vds=30V, Vgs=0 | | | 1 | uA |
| Vds=30V, Vgs=0 Tj=55°C | | | 5 |
| Rds（on） | Drain-Source On-Resistance | VGS=10V, Id=4.0A | | 40 | 50 | mΩ |
| Vgs=4.5V, Id=3.0A | | 45 | 65 |
| Vgs=2.5V, Id=2.0A | | 60 | 85 |
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发表于 2022-5-31 11:11
