森利威尔SL3414 20V/6A/20mΩ增强型MOSFET datasheet

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SL3414是N沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低通态电阻。这些器件特别适用于低电压应用，并且在外形非常小的表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

特征
●20V/6A, RDS(ON)=20mΩ (typ.)@VGS=4.5V
●20V/5A, RDS(ON)=24mΩ (typ.)@VGS=2.5V
●20V/4A, RDS(ON)=30mΩ (typ.)@VGS=1 .8V
●超高设计，极低 RDS(ON)
●卓越的导通电阻和最大直流电流能力
●完全符合RoHS
●SOT23-3L封装设计

应用
●笔记本电源管理
●便携式设备
●电池供电系统

引脚配置


绝对最大额定值（TA = 25℃ 除非另有说明）

Symbol	Parameter		Typical	Unit
Vdss	Drain-Source Voltage		20	V
Vgss	Gate-Source Voltage		±12	V
ID	Continuous Drain current (TJ=150°C)	VGS-4.5V	6	A
IDM	PulSED Drain Current		20	A
Is	Continuous Source Current (Diode Conduction)		1	A
Pd	power DisSIPation	TA=25°C	1.25(SOT23-3L)	W
		TA=75°C	0.8(SOT23-3L)
Tj	Operation Junction Temperature		150	°C
Tstg	Storage Temperature Range		-55~+150	°C

电气特性(VDD=2.75V, TA=25℃ 除非另有说明)

Symbol	Parameter	Condition	Min	Typ	Max	Unit
Static Parameters
V(BR)DSS	Drain-Source Breakdown Voltage	VGS=0V, ID=250uA	20			V
VGS(th)	Gate Threshold Voltage	VDS=VGS, ID=250uA	0.5		1	V
IGSS	Gate Leakage Current	VDS=0V, VGS=±12V			±100	nA
IDSS	Zero Gate Voltage Drain Current	VDS=16V, VGS=0			1
		VDS=16V, VGS=0 TJ=85℃			30	uA
ID(ON)	On=State Drain Current	VDS≧5V, VGS=4.5V	4			A
RDS(ON)	Drain-Source On-Resistance	VGS=4.5V, ID=6A		20	30	mΩ
		VGS=2.5V, ID=5A		24	35
		VGS=1.8V, ID=4A		30	40
Gfs	Forward Transconductance	VDS=5V, ID=3.6A		10		S

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