国民技术N32G430系列LSE晶体选型指南

不能说的秘密

本文档为N32G430系列MCU的LSE晶体选型指南，提供客户选型参考。

1. LSE 晶体选型说明
1.1 外接晶体电路
图 1-1 为 LSE 外接晶体的典型设计，其中 RF反馈电阻在芯片内部已有设计，用户不需要在片外加此电阻。


1.2 LSE 匹配电容计算
低速外部时钟(LSE)可以使用一个 32.768kHz 的晶体/陶瓷谐振器构成的振荡器产生。在应用中，晶体和负载电容必须尽可能地靠近芯片的引脚，以减小输出失真和启动时的稳定时间。有关晶体的详细参数(频率、封装、精度等)，请咨询相应的生产厂商。
对于 CL1 和 CL2，建议使用瓷介电容器，并挑选符合要求的晶体。通常 CL1 和 CL2 具有相同参数。
CL1 和 CL2 由下式计算：CL = CL1 × CL2 / (CL1 + CL2) + Cstray，其中 Cstray是引脚的电容和 PCB 板或 PCB相关的电容。
例如：如果选择了一个负载电容 CL=7pF 的晶体，并且 Cstray=2pF，则 CL1=CL2=10pF。

1.3 LSE 晶体测试
1.3.1 LSE 配置参数
在使用LSE外部晶体时，调用void RCC_LSE_Config (uint32_t RCC_LSE, uint16_t LSE_Trim)函数，通过输入参数uint16_t LSE_Trim实现对LSE配置参数，具体见下面代码示例：

不同的配置值对最终晶体的特性影响较大，推荐的 LSE 配置参数值为 0x1FA。

1.3.2 晶体频率测试
1.3.2.1 常温频率测试
参考图 1-1 的外围硬件设计，选取一款晶体并外接电容后测试晶体频率，晶体信号可通过 MCO 输出到
频率计或其它频率测试仪器。
测试实例：
选取的晶体负载电容CL=7pF，频率公差为±20ppm。Cstray按3pF计算，则CL1=CL2=8pF。（Cstray的取值和不同的测试板硬件相关，用户可以根据测试的频率值微调CL1和CL2）
参考图 1-2 为 LSE配置参数值为 0x1FA 条件下，常温25℃晶体输出频率值。

1.3.3 晶体兼容列表
N32G430 芯片在选择外接 32.768KHz 晶体时，需要注意所选晶体在全温度范围都可正常工作。
LSE 配置参数不同，可适配的晶体型号也不同。
参考表 1-1 为晶体全温度测试兼容列表，LSE 配置参数为 0x1FA。

No.	晶体型号	封装	厂商	负载电容 （pF）	CO (pF)	ESR(max) (kΩ)
1	TFX-04-32. 768K (7PF)	1610	RIVER（大河）	7	1.3	90
2	TFX-04-32. 768K			12.5	1.3	90
3	1TJH090DR1A0086		KDS	9	1.3	90
4	DST1610A 32. 768KHz			12.5	1.3	90
5	X1A0001210005		EPSON	12.5	1.2	90
6	SC-16S 32.768kHz 20PPM 12. 5pF		SEIKO	12.5	1.2	90
7	ABS06-32. 768KHZ-T	2012	ABRACON	12.5		90
8	SC-20S,32. 768kHz,20PPM,7pF		SEIKO	7	1.3	90
9	FC-12M 32.768000 kHz 7. 0+20.0-20. 0/X1A0000610006		EPSON	7	1.3	90
10	TJXM32768K2TGDCNT2T		TAE（雅晶鑫）	12.5		70
11	1TJG125DR1A0019		KDS	12.5	1.3	80

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彼岸_nhcgV

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qycx2003

这个文章对硬件设计新手很有用