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[资料] 12N65-ASEMI高压MOS管12N65

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发表于 2022-6-21 10:36:31 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
编辑:ll
12N65-ASEMI高压MOS管12N65
型号:12N65
品牌:ASEMI
封装:TO-220AB
最大漏源电流:12A
漏源击穿电压:650V
RDS(ON)Max:0.68Ω
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS管
芯片尺寸:MIL
漏电流:
恢复时间:5ns
芯片材质:
封装尺寸:如图
特性:高压MOS管
工作结温:-55℃~150℃
12N65场效应管
12N65的电性参数:最大漏源电流12A;漏源击穿电压650V
12N65-ASEMI.jpg 12N65-ASEMI-1.jpg 12N65-ASEMI-2.jpg

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