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意法半导体STL5N80K5 800V/1.50Ω/3A功率MOSFET datasheet

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发表于 2022-6-21 11:50:38 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
STL5N80K5超高压N沟道功率MOSFET采用MDmesh™ K5技术设计,基于创新的专有垂直结构。结果是显着降低了导通电阻和超低栅极电荷,适用于需要卓越功率密度和高效率的应用。
1.jpg

特征
●业界最低的RDS(on)x面积
●业界最佳的FoM(品质因数)
●超低栅极电荷
●100%雪崩测试
●齐纳保护

绝对最大额定值

SymbolParameterValueUnit
VgsGate-source voltage±30V
IdDrain current (continuous) at Tc = 25 °C3A
IdDrain current (continuous) at Tc = 100 °C1.8A
IdDrain current (pulsed)12A
PtotTotal dissipation at Tc = 25 °C38W
dv/dtPeak diode recovery voltage slope4.5V/ns
dv/dtMOSFET dv/dt ruggedness50
TjOperating junction temperature range-55 to 150°C
TstgStorage temperature range


电气特性
TC = 25 °C 除非另有说明
SymbolParameterTest conditionsMin.Typ.Max.Unit
V(BR)DSSDrain-source breakdown voltageVGS = 0 V, ID = 1 mA800V
IdssZero gate voltage drain currentVGS = 0 V, VDS = 800 V1µA
VGS = 0 V, VDS = 800 V
TC = 125 °C
50µA
IgssGate body leakage currentVDS = 0 V, VGS = ±20 V±10µA
VGS(th)Gate threshold voltageVDD = VGS, ID = 100 µA345V
RDS(on)Static drain-source on-resistanceVGS = 10 V, ID = 2 A1.501.75


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2022-6-21 11:49 上传
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