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[资料] 森利威尔SL4435 -30V/-10A/15mΩ P沟道增强型MOSFET datasheet

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发表于 2022-6-22 11:44:10 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
SL4435是P沟道逻辑增强模式功率场效应晶体管,采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低通态电阻。 这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。

特征
◆-30V/-10 A, RDS(ON)=15mΩ (typ.)@VGS=-10V
◆-30V/-5.0A, R DS(ON)=25mΩ (typ.)@VGS=-4.5V
◆超高设计,极低 RDS(ON)
◆卓越的导通电阻和最大直流电流能力
◆完全符合 RoHS
◆SOP8封装设计
◆100% UIS 测试
◆100% Rg 测试

应用
◆电源管理
◆便携式设备
◆DC/DC转换器
◆负荷开关
◆DSC
◆LCD显示逆变器

引脚配置
1.jpg

绝对最大额定值(TA = 25℃ 除非另有说明)
SymbolParameterTypicalUnit
VdssDrain-Source Voltage-30V
VgssGate-Source Voltage±25V
IdContinuous Drain Current (TJ=150°C)VGS-10V-10.5A
IDMPulsed Drain Current-75A
IsContinuous Source Current (Diode Conduction)-3.0A
PdPower DissipationTa=25°C2.8W
Ta=70°C1.8
TjOperation Junction Temperature150°C
TstgStorage Temperature Range-55-+150°C
RθJAThermal Resistance Junction to Ambient62.5°C/W


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2022-6-22 11:43 上传
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