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[资料] 森利威尔SL6411 -20V/-85A增强型Power MOSFET datasheet

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发表于 2022-7-4 11:30:23 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
6411 采用先进的沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供出色的 RDS(ON)。 它可用于多种应用。
1.jpg

特征
● VDS =-20V,ID =-85A
RDS(ON) < 2.5mΩ @ VGS=-4.5V
RDS(ON) < 3.6mΩ @ VGS=-2.5V
RDS(ON) < 8mΩ @ VGS=-1.8V
● 超低Rdson的高密度电池设计
● 充分表征雪崩电压和电流
● 稳定性和均匀性好,EAS高
● 优秀的封装,散热好

应用
● 负荷开关
● 电池保护

绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明)
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-Source VoltageVDS-20V
Gate-Source VoltageVGS±10V
Drain Current-ContinuousID-85A
Drain Current-Continuous(Tc=100°C)ID (100℃)-69.5A
Pulsed Drain CurrentIDM-340A
Maximum Power DissipationPD130W
Derating factor0.64W/°C
Operating Junction and Storage Temperature RangeTJ,TSTG-55 To 150°C


电气特性(TC=25℃,除非另有说明)

ParameterSymbolConditionMinTypMaxUnit
Off Characteristics
Drain-Source Breakdown VoltageBVdssVGS=0V ID=-250μA-20--V
Zero Gate Voltage Drain CurrentIdssVDS=-20V,VGS=0V--1μA
Gate-Body Leakage CurrentIgssVGS=±10V,VDS=0V--±100nA
On Characteristics
Gate Threshold VoltageVGS(th)VDS=VGS,ID=-250μA-0.4-0.6-1.0V
Drain-Source On-State ResistanceRds(on)VGS=-4.5V, ID=-20A-2.12.5
VGS=-2.5V, ID=-20A-2.83.6
VGS=-1.8V, ID=-20A3.88.0
Forward TransconductanceQfsVDS=-5V,ID=-20A100--S


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