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[资料] 森利威尔SL6601 30V/4.9A/49mΩ增强型MOSFET datasheet

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发表于 2022-7-4 14:26:54 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
SL6601特征
●N沟道
-30V/4.9A,
-RDS(ON)=49mW(最大值)@ VGS=10V
-RDS(ON)=68mW(最大值)@ VGS=4.5V
●P通道
--30V/-3A,
-RDS(ON)=100mW(最大值)@ VGS=-10V
-RDS(ON)=150mW(最大值)@ VGS=-4.5V
●可靠耐用
●提供无铅和绿色设备(符合 RoHS 标准)
1.jpg

绝对最大额定值(TA = 25° C,除非另有说明)
SymbolParameterN ChannelP ChannelUnit
Common Ratings
VDSSDrain-Source Voltage30-30V
VGSSGate-Source Voltage±12±12V
IDContinuous Drain CurrentTa=25°C4.9-3A
Ta=70°C3.9-2.4
IDM300卩s Pulsed Drain CurrentVGS=10V19-12
ISDiode Continuous Forward Current1
TJMaximum Junction Temperature150°C
TstgStorage Temperature Range-55 to 150
PDMaximum Power DissipationTa=25°C1.4W
Ta=70°C0.9
RθJAThermal Resistance-Junction to Ambientt<10s90°CA/V
Steady State125


N 通道电气特性(TA = 25° C,除非另有说明)
SymbolPa ra meterTest ConditionsN ChannelUnit
Min.Typ.Max.
Static Characteristics
BVDSSDrain-Source Breakdown VoltageVGS=0V, IDS=250μA30--V
IDSSZero Gate Voltage Drain CurrentVDS=24V, VGS=0V--1μA
Tj=85°C--30
VGS(th)Gate Threshold VoltageVDS=VGS, IDS=250μA0.50.71.0V
IGSSGate Leakage CurrentVGS=±12V, VDS=0V--±100nA
RDS(ON)Drain-Source On-State ResistanceVGS=10V, IDS=4.9A-3949
VGS=4.5V, IDS=3A-5868


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2022-7-4 14:26 上传
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