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意法半导体STL15N65M5 650V/0.335Ω/10A功率MOSFET datasheet

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发表于 2022-7-24 13:00:02 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
STL15N65M5器件是基于MDmesh™M5创新垂直工艺技术和众所周知的PowerMESH™水平布局的N沟道功率MOSFET。由此产生的产品提供极低的导通电阻,使其特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。
1.jpg

特征
●极低的 RDS(on)
●低栅极电荷和输入电容
●出色的切换性能
●100% 雪崩测试

绝对最大额定值
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-source voltage650V
VGSGate-source voltage±25V
IDDrain current (continuous) at Tc = 25 °C10A
IDDrain current (continuous) at Tc = 100 °C5A
IDMDrain current (pulsed)40A
PTOTTotal dissipation at Tc = 25 °C52W
IARAvalanche current, repetitive or not-repetitive (pulse width limited by Tj max)2.5A
EASSingle pulse avalanche energy
(starting Tj = 25 °C, ID = IAR, VDD = 50 V)
160mJ
dv/dtPeak diode recovery voltage slope15V/ns
TstgStorage temperature range-55 to 150°C
TjOperating junction temperature range°C


电气特性
(TC = 25 °C,除非另有说明)
On /off states
SymbolParameterTest conditionsMin.Typ.Max.Unit
V(BR)DSSDrain-source breakdown voltageID=1mA,VGS=0V650V
IDSSZero gate voltage drain currentVDS=650V1µA
VDS=650V,TC=125°C,VGS=0V100µA
IGSSGate-body leakage currentVGS=±25V,VDS=0± 100nA
VGS(th)Gate threshold voltageVDS=VGS,ID=250µA345V
RDS(on)Static drain-source on- resistanceVGS=10V,ID=5A0.3350.375Ω


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2022-7-19 17:09 上传
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