典琦CDBHD120L/CDBHD1100L低VF肖特基桥式整流器datasheet

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CDBHD120L/CDBHD1100L特征：
- 桥中的低 Vf 肖特基势垒芯片
- 带保护环的金属-半导体结
- 高浪涌电流能力
- 硅外延平面芯片
- 用于低压、高效逆变器、续流和极性保护应用
- 无铅部分，符合RoHS要求


机械参数
- 外壳：Mini-Dip 桥 (TO-269AA) 塑料模制外壳
- 环氧树脂：UL94-V0 级阻燃
- 端子：根据 MIL-STD-750 方法 2026 可焊接
- 极性：如身体标记
- 安装位置：任意
- 重量：0.0078 ounces, 0.22 grams

最大额定值和电气特性

Parameter		Symbol	CDBHD120L-G	CDBHD140L-G	CDBHD160L-G	CDBHD180L-G	CDBHD1100L-G	Units
Maximum repetitive peak reverse voltage		Vrrm	20	40	60	80	100	V
Maximum DC blocking voltage		Vdc	20	40	60	80	100	V
Maximum RMS voltage		Vrms	14	28	42	56	70	V
Peak surge forward current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rate load (JEDEC method)		Ifsm	30.0					A
Max. average forward current 0.2*0.2"(5.0*5.0mm)copper pad area,see Figure 1		Iw	1.0					A
Max. instantaneous forward voltage at 1.0A(Note 1)		Vf	0.44		0.625	0.75		V
Max. DC reverse current at rated DC blocking voltage	Ta=25°C	Ir	0.50					mA
	Ta=100°C	Ir	20.0
Typical junction Capacitance (Note 2)		Cj	250                          125					pF
Typical thermal resistance (Note 3)		Rqja Rqjl	85.0 20.0					°C/W
Operating junction temperature Range		Tj	-55 to+125					°C
Storage temperature Range		Tstg	-55 to +150					°C

额定值和特性曲线（CDBHD120L-G至CDBHD1100L-G）


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2022-7-21 10:00 上传

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