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意法半导体STL18N60M6 600V/255mΩ/9A功率MOSFET datasheet

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发表于 2022-7-23 11:33:08 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
新的MDmeshM6技术融合了SJMOSFET著名且整合的MDmesh系列的最新进展。STMicroelectronics通过其新的M6技术在上一代MDmesh器件的基础上构建,该技术结合了出色的每面积RDS(on)改进与可用的最有效开关行为之一,以及用户友好的体验,以最大限度地提高最终应用效率。
1.jpg

特征
• 降低开关损耗
• 与上一代相比,每个区域的 RDS(on) 更低
• 低栅极输入电阻
• 100% 雪崩测试
• 齐纳保护

应用
• 切换应用程序
• LLC 转换器
• 升压 PFC 转换器

绝对最大额定值
SymbolParameterValueUnit
VGSGate-source voltage±25V
IDDrain current (continuous) at Tease = 25 °C9A
Drain current (continuous) at Tcase = 100 °C5.6
IDMDrain current (pulsed)36A
PTOTTotal power dissipation at Tease = 25 °C57W
dv/dtPeak diode recovery voltage slope15V/ns
dv/dtMOSFET dv/dt ruggedness100
TstgStorage temperature range-55 to 150°C
TjOperating junction temperature range


电气特性
(Tcase = 25 °C,除非另有说明)。
On/off states
SymbolParameterTest conditionsMin.Typ.Max.Unit
V(BR)DSSDrain-source breakdown voltageVGS = 0 V, ID = 1 mA600V
IDSSZero gate voltage drain currentVGS = 0 V, VDS = 600 V1µA
VGS = 0 V, VDS = 600 V,
Tcase = 125 °C
100
IGSSGate-body leakage currentVDS = 0 V, VGS = ±25 V±5µA
VGS(th)Gate threshold voltageVDS = VGS, ID = 250 µA3.2544.75V
RDS(on)Static drain-source on-resistanceID = 6.5 A, VGS = 10 V255308


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