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意法半导体STL19N60M2 600V/0.278Ω/11A功率MOSFET datasheet

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发表于 2022-7-30 11:00:01 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
STL19N60M2器件是使用MDmesh M2技术开发的N沟道功率MOSFET。由于其条形布局和改进的垂直结构,该器件具有低导通电阻和优化的开关特性,使其适用于要求最苛刻的高效转换器。
1.jpg

特征
• 极低的栅极电荷
• 出色的输出电容(COSS)曲线
• 100%雪崩测试
• 齐纳保护

绝对最大额定参数
SymbolParameterValueUnit
VGSGate-source voltage±25V
IDDrain current (continuous) at Tc = 25 °C11A
IDDrain current (continuous) at Tc = 100 °C6.9A
IDMDrain current (pulsed)44A
PTOTTotal power dissipation at Tc = 25 °C90W
dv/dtPeak diode recovery voltage slope15V/ns
dv/dtMOSFET dv/dt ruggedness50V/ns
TstgStorage temperature range-55 to 150°C
TJOperating junction temperature range


电气特性
TC = 25 °C 除非另有说明
On/off states
SymbolParameterTest conditionsMin.Typ.Max.Unit
V(BR)DSSDrain-source breakdown voltageVGS = 0 V, ID = 1 mA600V
IDSSZero gate voltage drain currentVGS = 0 V, VDS = 600 V1µA
VGS=0V,VDS=600V,TC=125°C100µA
IGSSGate-body leakage currentVDS = 0 V, VGS = ±25 V±10µA
VGS(th)Gate threshold voltageVDS = VGS, ID = 250 µA234V
RDS(on)Static drain-source
on-resistance
VGS = 10 V, ID = 5.5 A0.2780.308


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2022-7-25 16:01 上传
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