致新G2273A 3A/1.5MHz同步降压转换器datasheet

sichuguancha

G2273A是一款具有内置内部功率MOSFET的单片降压开关模式转换器。它在2.6V至5.5V输入电压范围内实现3A连续输出电流，并具有出色的负载和线路调节能力。输出电压可调节至低至0.6V。在中重负载下，开关频率为1.5MHz。轻载时，器件自动进入PSM以保持高效率。G2273A中的恒定导通时间控制方案提供了快速瞬态响应，可在各种负载和输出电容器上进行优化。热关断和逐周期电流限制用于保护。G2273A采用SOT-23-5、SOT-23-6、TDFN2X2-6和TDFN2X2-8封装。

特征
●效率高达95%
●90mΩ和70mΩ内部功率MOSFET
●VIN范围2.6V至5.5V
●可从0.6V到VIN的可调输出电压
●轻负载效率的省电模式
●使用MLCC输出电容器实现快速瞬态响应、稳定性的恒定导通时间控制方案设计
●100%占空比，实现最低压差
●17µA工作静态电流
●固定软启动0.9ms
●输出放电
●电源良好输出
●逐周期过流保护
●输入欠压锁定
●输出欠压保护
●热关断保护

ORDER NUMBER	MARKING	TEMP. RANGE	PACKAGE (Green)
G2273AT11U	223Ax	-40°C to +85°C	SOT-23-5
G2273ATB1U	223Ax	-40°C to +85°C	SOT-23-6
G2273ARB1U	223A	-40°C to +85°C	TDFN2X2-6
G2273ARC1U	223A	-40°C to +85°C	TDFN2X2-8

绝对最大额定值
VIN, LX, FB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to 6V
EN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to (VIN+0.3V)
LX (AC, less than 10nS) . . . . . . . . . . . . . . . -3V to 10V
Thermal Resistance of Junction to Ambient, (θJA)
SOT-23-5 . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . TBD°C/W
SOT-23-6 . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . TBD°C/W
TDFN2X2-6. . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . TBD°C/W
TDFN2X2-8. . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . TBD°C/W
Continuous Power Dissipation (TA = +25°C)
SOT-23-5. . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . .TBDW
SOT-23-6. . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . .TBDW
TDFN2X2-6. . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . TBD°C/W
TDFN2X2-8. . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . TBD°C/W
Thermal Resistance of Junction to Ambient, (θJC)
SOT-23-5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .TBD°C/W
SOT-23-6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .TBD°C/W
TDFN2X2-6. . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . TBD°C/W
TDFN2X2-8. . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . TBD°C/W
Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . -40°C to150°C
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . -65°C to 150°C
Reflow Temperature (soldering, 10sec) . . . . . . 260°C
ESD (HBM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2KV

电气特性

PARAMETER	SYMBOL	CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNIT
Input Voltage	VIN		2.6	—	5.5	V
VIN Quiescent current	IQ	No load, device not switching	—	17	25	µA
VIN Shutdown current	ISD	Ven=0V, Shutdown	—	—	1	µA
VIN under voltage lock out threshold	VUVLO	Vin falling	—	2.4	2.5	V
VIN under voltage lock out hysteresis	VUVLO_HYS		—	100	—	mV
Thermal shutdown threshold	TJSD	Tj rising	—	150	—	°C
Thermal shutdown hysteresis	TJSD_HYS		—	30	—	°C
EN Input Logic High Voltage	VIH	2.6V≦VIN≦5.5V	1.2	—	—	V
EN Input Logic Low Voltage	VIL	2.6V≦VIN≦5.5V	—	—	0.4	V
EN Input Leakage Current	IEN	Ven=5V	—	—	0.1	µA
Soft-Start Time	TSS	Time from EN high to 95% of Vout nominal	—	0.9	—	mS
Power good threshold	VPG_R	Vout rising, referenced to Vout nominal	—	95	—	%
	VPG_F	Vout falling, referenced to Vout nominal	—	90		%
PG low-level output voltage	VPG(OL)	ISINK=1mA	—	—	0.4	V
PG input leakage current	IPG(LK)	Vpg=5V	—	—	0.1	µA
Power good delay	tPG_DLY	VFb falling	—	40	—	µS
Feedback Reference Voltage	VREF	2.6V≦VIN≦5.5V	0.588	0.6	0.612	V
Feedback Leakage Current	IFB(LK)	VFB = 0.6V	—	—	0.1	µA
Output discharge FET on-resistance	RDIS	VEN=0V	—	10	—	Ω
Switching Frequency	fSW	Vout=1.8V, Iout=1A	——	1.5	——	MHz
Minimum Off Time	tOFF(MIN)	High side PFET	—	80	—	nS
PFET switch on resistance	RDSON(P)	VIN=3.6V	—	90	—	mΩ
NFET switch on resistance	RDSON(N)	VIN=3.6V	—	70	—	mΩ
PFET switch current limit	ILIM(P)		—	6.5	—	A
NFET switch current limit	ILIM(N)		——	4.5	—	A

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