意法半导体STL19N60M6 600V/255mΩ/11A功率MOSFET datasheet

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新的MDmeshM6技术融合了SJ MOSFET著名且整合的MDmesh系列的最新进展。STMicroelectronics通过其新的M6技术在上一代MDmesh器件的基础上构建，该技术结合了出色的每面积RDS(on)改进与可用的最有效开关行为之一，以及用户友好的体验，以最大限度地提高最终应用效率。


STL19N60M6特点：
• 降低开关损耗
• 与上一代相比，每个区域的 RDS(on) 更低
• 低栅极输入电阻
• 100% 雪崩测试
• 齐纳保护

应用
• 切换应用程序
• LLC 转换器
• 升压 PFC 转换器

绝对最大额定值

Symbol	Parameter	Value	Unit
VGS	Gate-source voltage	±25	V
ID	Drain current (continuous) at Tc = 25 °C	11	A
	Drain current (continuous) at Tc = 100 °C	6.9	A
IDM	Drain current (pulsed)	38	A
PTOT	Total power dissipation at Tc = 25 °C	90	W
dv/dt	Peak diode recovery voltage slope	15	V/ns
dv/dt	MOSFET dv/dt ruggedness	100	V/ns
Tstg	Storage temperature range	-55 to 150	°C
Tj	Operating junction temperature range

电气特性

Symbol	Parameter	Test conditions	Min.	Typ.	Max.	Unit
V(BR)DSS	Drain-source breakdown voltage	VGS = 0 V, ID = 1 mA	600			V
IDSS	Zero gate voltage drain current	VGS = 0 V, VDS = 600 V			1	µA
		VGS = 0 V, VDS = 600 V, TC = 125 °C			100	µA
IGSS	Gate-body leakage current	VDS = 0 V, VGS = ±25 V			±5	µA
VGS(th)	Gate threshold voltage	VDS = VGS, ID = 250 µA	3.25	4	4.75	V
RDS(on)	Static drain-source on-resistance	VGS = 10 V, ID = 6.5 A		255	308	mΩ

TC = 25 °C 除非另有说明
On/off states

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