安森美NCP1632功率因数控制器datasheet

坑坑是吃货

NCP1632集成了一个用于交错式PFC应用的双MOSFET驱动器。交错包括并行两个小阶段，而不是更大的阶段，更难以设计。这种方法有几个优点，例如易于实施、使用更小的组件或更好的加热分布。此外，交错扩展了临界传导模式的功率范围，这是一种高效且具有成本效益的技术（不需要低trr二极管）。此外，NCP1632驱动器具有180°相移，可显着降低电流纹波。该电路采用SOIC16封装，具有构建坚固紧凑的交错式PFC级所需的所有功能，且外部元件最少。

一般特征
•近单位功率因数
•在包括瞬态相位在内的所有条件下都有显着的180°相移
•频率钳位临界传导模式(FCCrM)，即固定频率、不连续传导模式操作，在大多数压力条件下均可实现临界传导
•FCCrM操作优化了负载范围内的PFC级效率
•用于低EMI和降低大容量电容器中的rms电流的异相控制
•低功率频率折返，进一步提高轻载效率
•通过用于ValleyTurnOn的辅助绕组进行准确的零电流检测
•快速线路/负载瞬态补偿
•高驱动能力：−500mA/+800mA
•指示PFC已准备好运行的信号（“pfcOK”引脚）
•VCC范围：10V至20V

安全特性
•输出过压和欠压保护
•具有500毫秒延迟的欠压检测有助于满足保持时间规范
•用于平滑启动操作的软启动
•最大功率的可编程调整
•过流限制
•浪涌电流检测

最大额定值

Symbol	Rating	Pin	Value	Unit
VCC(MAX)	Maximum Power Supply Voltage Continuous	12	-0.3, +20	V
VMAX	Maximum Input Voltage on Low Power Pirs	1,2, 3, 4, 6, 7, 8, 9,10,15, and 16	-0.3, +9.0	V
VControl(MAX)	^control Pin Maximum Input Voltage	5	−0.3, VControl(clamp) (Note 2)	V
PD RθJ−A	Power Dissipation and Thermal Characteristics Maximum Power Dissipation @ TA = 70°C Thermal Resistance Junction−to−Air		550 145	mW °C/W
Tj	Operating Junction Temperature Range		-40 to +150	°C
Tj(MAX)	Maximum Junction Temperature		150	°C
Ts(MAX)	Storage Temperature Range		-65 to +150	°C
TL(MAX)	Lead Temperature (Soldering, 10s)		300	°C
	ESD Capability, HBM model (Note 3)		3	kV
	ESD Capability, Machine Model (Note 3)		200	V
	ESD Capability, Charged Device Model (Note 3)		1000	V

更多详细内容请下载附件查看

游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复