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[资料] 意法半导体STL33N60DM2 600V/0.115Ω/21A功率MOSFET datasheet

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发表于 2022-8-5 15:58:10 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
这种高压N沟道功率MOSFET是MDmesh™DM2快速恢复二极管系列的一部分。它提供非常低的恢复电荷(Qrr)和时间(trr)以及低RDS(on),使其适用于要求最苛刻的高效转换器,也是桥式拓扑和ZVS相移转换器的理想选择。
1.jpg

特点
●快速恢复体二极管
●极低的栅极电荷和输入电容
●低导通电阻
●100%雪崩测试
●极高的dv/dt耐用性
●齐纳保护

绝对最大额定值
SymbolParameterValueUnit
VGSGate-source voltage±25V
IDDrain current (continuous) at Tc = 25 °C21A
IDDrain current (continuous) at Tc = 100 °C15A
IDMDrain current (pulsed)84A
PTOTTotal dissipation at Tc = 25 °C150W
IARAvalanche current, repetitive or not-repetitive (pulse width limited by Tj max)4.5A
EASSingle pulse avalanche energy (starting Tj= 25 °C, lD = Iar, Vdd = 50V)570mJ
dv/dtPeak diode recovery voltage slope50V/ns
dv/dtMOSFET dv/dt ruggedness50V/ns
TstgStorage temperature range-55 to 150°C
TjOperating junction temperature range


电气特性
(TC = 25 °C,除非另有说明)
On /off states
SymbolParameterTest conditionsMin.Typ.Max.Unit
V(BR)DSSDrain-source breakdown voltageVGS = 0, ID = 1 mA600V
IDSSZero gate voltage drain currentVGS = 0, VDS = 600 V1µA
VGS = 0,VDS = 600 V, TC=125 °C100µA
IGSSGate-body leakage currentVDS = 0, VGS = ± 25 V±10µA
VGS(th)Gate threshold voltageVDS = VGS, ID = 250 µA345V
RDS(on)Static drain-source on- resistanceVGS = 10 V, ID = 10.5 A0.1150.140


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2022-8-5 15:57 上传
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