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[资料] 意法半导体STL33N60M6 600V/0.115Ω/21A功率MOSFET datasheet

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发表于 2022-8-6 09:58:09 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
新的MDmesh™M6技术融合了SJMOSFET著名和整合的MDmesh系列的最新进展。STMicroelectronics通过其新的M6技术在上一代MDmesh器件的基础上构建,该技术结合了出色的单位面积RDS(on)改进和最有效的切换行为之一,以及用户友好的体验,以最大限度地提高最终应用程序的效率。
1.jpg

特征
• 降低开关损耗
• 与上一代相比,每个区域的 RDS(on) 更低
• 低栅极输入电阻
• 100% 雪崩测试
• 齐纳保护

应用
• 切换应用程序
• LLC 转换器
• 升压 PFC 转换器

绝对最大额定值
SymbolParameterValueUnit
VGSGate-source voltage±25V
IDDrain current (continuous) at Tcase = 25 °C21A
Drain current (continuous) at Tcase = 100 °C13
IDMDrain current (pulsed)78A
PTOTTotal dissipation at Tcase = 25 °C150W
dv/dtPeak diode recovery voltage slope15V/ns
dv/dtMOSFET dv/dt ruggedness50
TstgStorage temperature range-55 to 150°C
TjOperating junction temperature range


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2022-8-6 09:57 上传
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