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[资料] 意法半导体STL57N65M5 650V/0.061Ω/M5功率 MOSFET规格书/datasheet

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发表于 2022-8-24 14:34:45 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
意法半导体STL57N65M5是基于 MDmesh™ M5 创新垂直工艺技术与著名的 PowerMESH™ 水平布局相结合的 N 沟道功率 MOSFET。 由此产生的产品提供极低的导通电阻,使其特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。

特征
Order code
VDS  @ TJmax
RDS(on) max.
ID
STL57N65M5
710 V
0.069Ω
22.5 A
  • 极低的 RDS(on)
  • 低栅极电荷和输入电容
  • 出色的切换性能
  • 100% 雪崩测试

应用
  • 切换应用程序

表 1:设备摘要
Order code
Marking
Package
Packing
STL57N65M5
57N65M5
PowerFLAT™ 8x8 HV
Tape and reel

1、电气额定值
表 2:绝对最大额定值

表 2:绝对最大额定值

表 2:绝对最大额定值


备注:
(1)该值是根据 Rthj-case 额定和封装限制的额定值。
(2)脉冲宽度受安全工作区限制。
(3)安装在 1 inch² 2oz Cu 的 FR-4 板上时。
(4)ISD≤22.5A,di/dt≤400A/μs; VDS(峰值) < V(BR)DSS,VDD = 400 V。


表 3: 热数据

表 3: 热数据

表 3: 热数据


备注:
(1) 安装在 1 inch²、2oz Cu 的 FR-4 板上时。


2、电气特性
TC = 25 °C 除非另有说明
表 4:开/关状态
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V(BR)DSS
Drain-source breakdown voltage
VGS = 0 V, LD = 1 mA
650
V
LDSSZero gate voltage Drain current
VGS = 0 V, VDS = 650 V
1
µA
VGS = 0 V, VDS = 650 V, TC= 125 °C
100
µA
LGSS
Gate-body leakage current
VGS = ± 25 V, VDS= 0 V
±100
nA
VGS(th)
Gate threshold voltage
VDS = VGS, LD = 250 µA
3
4
5
V
RDS(on)
Static drain-source on- resistance
VGS = 10 V, LD = 17.5 A
0.061
0.069


表 5:动态

表 5:动态

表 5:动态


备注:
(1)Co(er) 定义为当 VDS 从 0 增加到 80% VDSS 时,提供与 Coss 相同的存储能量的恒定等效电容
(2)Co(tr) 定义为当 VDS 从 0 增加到 80% VDSS 时,提供与 Coss 相同的充电时间的恒定等效电容



意法半导体STL57N65M5 650V/0.061Ω/M5功率 MOSFET规格书/datasheet下载
2022-8-24 14:34 上传
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