雷卯电子 2N7002NT N沟道增强型功率MOSFET datasheet

不吃鱼的猫

N-channel MOSFET

V(BR)DSS	RDS(on)MAX	ID
30V	4@10V	150mA
	8Ω@4.5V

SOT-523

SOT-523

1. GATE
2. SOURCE
3. DRAIN

特点

• 低导通电阻
• 切换速度快
• 低电压驱动使该设备非常适合
• 易于设计的驱动电路
• 易于并行
  

标记

标记

应用

• 接口,交换
  

等效电路

等效电路

MOSFET 最大额定值（Ta = 25°C，除非另有说明）

Symbol	Parameter	Value	Unit
VDS	Drain-Source Voltage	30	V
VGS	Gate-Source Voltage	±20	V
ID	Continuous Drain Current	0.15	A
R0JA	Thermal Resistance, Junction-to-Ambient	833	℃/AV
PD	Power Dissipation	0.15	W
TJ	Junction Temperature	150	℃
Tstg	Storage Temperature	-55~+150	℃

MOSFET 电气特性
T =25 ℃ 除非另有说明
......



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2022-9-13 10:11 上传 2N7002NT.pdf

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雷卯电子 2N7002NT N沟道增强型功率MOSFET

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