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[单片机资料] 意法半导体STM STL40N10F7 datasheet

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发表于 2022-9-14 16:37:41 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
N 沟道 100 V、20 mΩ 典型值、10 A STripFET F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
特点
Order codeVDSRDS(on) max.IDPTOT
STL40N1OF7100 V24 mΩ10A5W

• 市场上最低的RDS(on)
• 优秀的 FoM(品质因数)
• EMI 抗扰度低 Crss/Ciss 比
• 高雪崩耐用性

应用
• 切换应用程序

描述
这种 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F7 技术,具有增强的沟槽栅极结构,可实现非常低的导通电阻,同时还降低了内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关。

1 电气额定值
表 1. 绝对最大额定值
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-source voltage100V
VGSGate-source voltage±20V
ID(1)Drain current (continuous) at Tc=25 °C40A
Drain current(continuous) at Tc= 100 C28A
ID(2)Drain current (continuous) at Tpcb= 25 C10A
Drain current (continuous) at Tpcb= 100 ℃7A
IDM(2)(3)Drain current (pulsed)40A
PTOT(1)Total power dissipation at Tc= 25 C70W
PTOT(2)Total power dissipation at Tpcb=25 ℃5W
TstgStorage temperature range-55 to 175
TJOperating junction temperature range

1. 此值根据 Rthj-c 评定。
2.这个值是根据Rthj-pcb来评定的。
3.脉冲宽度受安全工作区域的限制

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