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[单片机资料] 意法半导体STM STL45P3LLH6 采用PowerFLAT™ 5*6 封装的MOSFET datasheet

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发表于 2022-9-21 17:03:31 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
采用 PowerFLAT™ 5*6 封装的 P 通道 -30 V、11 mΩ 典型值、-45 A STripFET™ H6 功率 MOSFET

图 1:内部示意图

图 1:内部示意图

图 1:内部示意图


特点
Order codeVDSRDS(on) max.ID

STL45P3LLH6
-30 V13mΩ-45A

  • 非常低的导通电阻
  • 极低的栅极电荷
  • 高雪崩耐用性
  • 低栅极驱动功率损耗

应用
  • 切换应用程序

描述
  • 该器件是一个 P 沟道功率 MOSFET
  • 使用 STripFET™ H6 技术开发
  • 采用新的沟槽栅结构。 所结果的
  • 功率 MOSFET 在所有封装中都表现出非常低的 RDS(on)。

1 电气额定值
表 2:绝对最大额定值
标志参数单位
VDS漏源电压-30V
VGS栅源电压±20V
ID (1)TC = 25 °C 时的漏极电流(连续)-45A
ID (1)TC = 100 °C 时的漏极电流(连续)-34A
ID (2)Tpcb = 25 °C 时的漏极电流(连续)-12A
ID (2)Tpcb = 100 °C 时的漏极电流(连续)-8.7A
IDM (1)(3)漏极电流(脉冲)-180A
IDM (2)(3)漏极电流(脉冲)-48A
PTOT (1)Tc= 25 °C 时的总耗散75W
PTOT (2)Tpcb= 25 °C 时的总耗散4.8W
Tstg储存温度范围-55 to 175
Tj工作结温范围
注意:
(1) 该值是根据 Rthj-c 评定的。
(2)此值是根据Rthj-pcb评定的
(3)脉冲宽度受安全工作区限制


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