编辑-Z MUR1100在 DO-41封装里采用的1个芯片,其尺寸都是50MIL,是一款快恢复 二极管。MUR1100的浪涌电流Ifsm 为35A ,漏电流(Ir)为10uA ,其工作时耐温度范围为-55~150 摄氏度。MUR1100采用GPP硅芯片 材质,里面有1颗芯片组成。MUR1100的电性参数是:正向电流(Io) 为1A ,反向耐压为1000V ,正向电压(VF)为1.75V,反向恢复时间(trr )为75NS,其中有2条引线。
MUR1100参数描述 型号:MUR1100 封装:DO-41 特性:快恢复二极管 电性参数:1A 1000V 芯片材质:GPP硅芯片 正向电流(Io):1A 芯片个数:1 正向电压(VF):1.75V 芯片尺寸:50MIL 浪涌电流Ifsm:35A 漏电流(Ir):10uA 反向恢复时间(trr):75NS 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:2 MUR1100插件封装系列。它的本体长度为5.2mm,加引脚长度为56.0mm,宽度为2.7mm,高度为2.7mm,脚宽度为0.9mm。
以上就是关于MUR1100-ASEMI快恢复二极管MUR1100的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。
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