立即注册
查看: 582|回复: 0

[单片机资料] 意法半导体STM STL47N60M6 8*8 HV N 通道 600 V M6功率MOSFET datasheet

已绑定手机
发表于 2022-9-22 16:25:12 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
采用 PowerFLAT™ 8*8 HV 封装的 N 通道 600 V、70 mΩ 典型值、31 A MDmesh™ M6 功率 MOSFET

PowerFLAT™ 8x8 HV

PowerFLAT™ 8x8 HV


订购代码VDSRDS(on) max.ID

STL47N60M6
600 V82mΩ31A
• 降低开关损耗
• 比上一代更低的 RDS(on) x 面积
• 低栅极输入电阻
• 100% 雪崩测试
• 齐纳保护
• 额外的驱动源引脚带来出色的开关性能

应用
• 切换应用程序

描述
新的 MDmesh™ M6 技术融合了著名且整合的 SJ MOSFET MDmesh 系列的最新进展。 STMicroelectronics 通过其新的 M6 技术在上一代 MDmesh 器件的基础上构建,该技术结合了出色的每面积 RDS(on) 改进与最有效的开关行为之一,以及用户友好的体验,以最大限度地提高最终应用效率.

1.电气额定值
表 1. 绝对最大额定值
标志范围单位
VGS栅源电压±25V
IDTC = 25 °C 时的漏极电流(连续)31A
IDTC= 100 °C 时的漏极电流(连续)20A
IDM (1)漏极电流(脉冲)124A
PTOTTC = 25 °C 时的总功耗190W
dv/dt(2)峰值二极管恢复电压斜率15Vns
dv/dt(3)MOSFET dv/dt 耐用性100Vns
Tstg储存温度范围55 to 150
TJ工作结温范围
1. 脉冲宽度受安全工作区域的限制。
2. ISD ≤ 31 A,di/dt ≤ 400 A/µs,VDS(peak) < V(BR)DSS,VDD = 400 V
3. VDS ≤ 480 V

表 2. 热数据
符号参数单位
Rthj-case热阻接线盒0.66℃/W
Rthj-pcb (1)热阻结-pcb50℃/W
1. 安装在 1 inch2 FR-4, 2 Oz 铜板上时

更多内容请下载附件查看
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复






您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

合作/建议

TEL: 19168984579

工作时间:
周一到周五 9:00-11:30 13:30-19:30
  • 扫一扫关注公众号
  • 扫一扫打开小程序
Copyright © 2013-2024 一牛网 版权所有 All Rights Reserved. 帮助中心|隐私声明|联系我们|手机版|粤ICP备13053961号|营业执照|EDI证
在本版发帖搜索
扫一扫添加微信客服
QQ客服返回顶部
快速回复 返回顶部 返回列表