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[雷卯产品规格书] 雷卯电子FDMS86163P 100V P沟道增强型MOSFET datasheet

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发表于 2022-10-30 14:00:04 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
描述
FDMS86163P 采用先进的沟槽技术,可提供出色的 RDS₍ON₎、低栅极电荷和低至 4.5V 的栅极电压。
该器件适合用作电池保护或其他开关应用。

一般特征
VDS = -100V ID =-50A
RDS(ON) < 52mΩ @ VGS=10V (类型:40mΩ)
应用 无刷电机 负载开关

不间断电源供应

FDMS86163P

FDMS86163P

绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明)
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-Source Voltage-100V
VGSGate-Source Voltage±20V
ID@TC=25℃Continuous Drain Current, VGS @ -10V1-50A
ID@TC=100℃Continuous Drain Current, VGS @ -10V1-28A
IDMPulsed Drain Current2-150A
EASSingle Pulse Avalanche Energy387mJ
IASAvalanche Current-35A
PD@TC=25℃Total Power Dissipation4140W
TSTGStorage Temperature Range-55 to 150
TJOperating Junction Temperature Range-55 to 150
RθJAThermal Resistance Junction-Ambient 125℃/W
RθJCThermal Resistance Junction-Case11.1℃/W


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