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[单片机资料] 新唐KFC4B21210L安装栅极电阻双N沟道MOSFET datasheet

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发表于 2022-10-30 16:00:01 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
456.png
1. 一般说明
安装栅极电阻 双 N 沟道 MOSFET 用于锂离子二次电池保护电路

等效电路

等效电路

2. 特点
• 源-源导通电阻:Rss(on) 典型值。 = 13 m (VGS = 3.8 V)
• CSP(芯片尺寸封装)
• 无卤素/符合 RoHS(欧盟 RoHS/UL-94 V-0/MSL:1 级)

3. 标记符号:18

4. 包装
压纹型(热压密封):20,000个/卷(标准)

5. 绝对最大额定值 Ta = 25 °C
Parameter
SymbolRatingUnit
Source-source Voltage
VSS12V
Gate-source Voltage
VGS8V
Source CurrentDCIS1 *14.7A
IS2 *27.7
IS3 *310.4
Pulsed *4ISp47
Total Power DissipationDCPD1 *10.37W
PD2 *21.0
PD3 *31.8
Channel Temperature
Tch150C
Storage Temperature Range
Tstg-55 to +150C


6. 热特性 Ta = 25 °C
ParameterSymbolRatingUnit
Thermal Resistance (ch-a)Rth1 *1338C / W
Rth2 *2125
Rth3 *369

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2022-10-24 17:34 上传
文件大小:
1.04 MB
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新唐KFC4B21210L安装栅极电阻双N沟道MOSFET datasheet
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发表于 2022-11-5 08:06:13 | 显示全部楼层 来自 浙江省杭州市
好东西啊~
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