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[资料] 新唐KFC4B22670L安装了栅极电阻的双N沟道MOSFET datasheet

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发表于 2022-11-3 14:51:03 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
MLGA004-W-1111-RA.png
1.一般描述
栅极电阻安装的双N通道MOSFET 对于锂离子二级电池保护电路

2.功能
•电阻源源:RSS(ON)典型。 = 38m(VGS = 3.7 V)
•CSP(芯片尺寸包)
•不含卤素 / ROHS(EU ROHS / UL-94 V-0 / MSL:级别1)

3.标记符号:6e

4.包装
压花型(热压缩密封):20,000 PC /卷轴(标准)

5.绝对最大等级TA = 25°C
Parameter
SymbolRatingUnit
Source-source Voltage
VSS20V
Gate-source Voltage
VGS12V
Source CurrentDCIS1 *12.9A
IS2 *24.6
IS3 *36.1
Pulsed *4ISp29
Total Power DissipationDCPD1 *10.42W
PD2 *21.1
PD3 *31.9
Channel Temperature
Tch150C
Storage Temperature Range
Tstg-55 to +150C


6.热特性 Ta = 25 °C
ParameterSymbolRatingUnit
Thermal Resistance (ch-a)Rth1 *1292℃/ W
Rth2 *2113
Rth3 *366

注意 *1安装在FR4板上(25.4毫米* 25.4毫米* T1.0毫米),
FR4板部分覆盖着铜垫(18 mm2区域,36°厚度)。
*2安装在FR4板上(25.4毫米* 25.4毫米* T1.0毫米)。
FR4板完全覆盖了铜垫(608 mm2区域,厚度为36 mm)。
*3安装在陶瓷板上(70毫米* 70毫米* T1.0毫米)。
*4 t = 10μS,占空比1%

电路等效

电路等效


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