新唐KFC6B21150L安装了栅极电阻的双N沟道MOSFET datasheet

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1. 总体描述
安装了栅极电阻的双N沟道MOSFET
用于锂离子二次电池保护电路

2. 特点
- 低源-源接通电阻。RSS (on) typ. = 4.0 m(VGS = 4.5 V)
- CSP（芯片尺寸封装）。
- 符合RoHS标准（欧盟RoHS/MSL：1级标准）。

3. 标记符号：16

4. 包装
压花型（热压密封）。10,000个/卷（标准）。

5. 绝对最大额定值 Ta = 25 °C

Parameter		Symbol	Rating	Unit
Source-source Voltage		VSS	12	V
Gate-source Voltage		VGS	±10.5	V
Source Current	DC	IS1 *1	8	A
		IS2 *2	17
	Pulsed	ISp *3	80
Total Power Dissipation	DC	PD1 *1	0.45	W
		PD2 *2	2.1
Channel Temperature		Tch	150	°C
Storage Temperature Range		Tstg	-55 to +150	°C

6.热特性 Ta = 25 °C

Parameter	Symbol	Rating	Unit
Thermal Resistance ( ch-a )	Rth1 *1	278	°C / W
	Rth2 *2	59

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