意法半导体STL190N4F7AG N沟道40V 典型值1.68mΩ 120A STripFET™MOSFET

sichuguancha

这款N沟道功率MOSFET采用STripFET™ F7技术，具有增强型沟槽栅极结构，可实现非常低的导通电阻，同时还可减少内部电容和栅极电荷，从而实现更快和更有效的开关。

特点

Order code	VDS	RDS(on) max	ID
STL190N4F7AG	40 V	2.00 mΩ	120 A

• 专为汽车应用而设计，符合AEC-Q101标准
• 市场上最低的RDS(on)之一
• 优异的FoM（功绩值）。
• 低Crss/Ciss比率的EMI抗扰度
• 高雪崩坚固性
• 可润湿的侧翼封装
  

应用
开关应用

1 电气等级
表2：绝对最大等级

Symbol	Parameter	Value	Unit
VDS	Drain-source voltage	40	V
VGS	Gate-source voltage	±20	V
(1) ID	Drain current (continuous) at TC  = 25 °C	120	A
(1) ID	Drain current (continuous) at TC  = 100 °C	120	A
(1)(2) IDM	Drain current (pulsed)	480	A
PTOT	Total dissipation at TC  = 25 °C	127	W
IAV	Avalanche current, repetitive or not repetitive (pulse width limited by maximum junction temperature)	35	A
EAS	Single pulse avalanche energy (TJ  = 25 °C, ID  = 17.5 A, VDD  = 22 V)	300	mJ
Tj	Operating junction temperature range	-55 to 175	°C
Tstg	Storage temperature range

注意事项。
(1)漏极电流受封装限制，25℃时硅的电流能力为183A。
(2)脉冲宽度受安全工作区限制

表3：热数据

Symbol	Parameter	Value	Unit
Rthj-pcb(1)	Thermal resistance junction-pcb	31.3	°C/W
Rthj-case	Thermal resistance junction-case	1.18	°C/W

注：
(1)当安装在1英寸²、2盎司铜的FR-4板上时，t < 10 s。



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