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[资料] STL285N4F7AG N沟道40V 典型值0.9mΩ 120A STripFET F7功率MOSFET datasheet

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发表于 2022-11-22 11:00:25 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
采用PowerFLAT™ 5x6封装的汽车级N沟道40 V、典型值0.9 mΩ、120 A STripFET™ F7功率MOSFET

这款N沟道功率MOSFET采用STripFET™ F7技术,具有增强型沟槽栅极结构,可实现非常低的导通电阻,同时还可降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快和更有效的开关。

图1:内部原理图

图1:内部原理图

图1:内部原理图

特点
 专为汽车应用而设计,符合 AEC-Q101 标准
 市场上最低的 RDS(on)
 优秀的 FoM(品质因数)
 抗 EMI 的低 Crss/Ciss 比
 高雪崩耐用性
 可湿性侧面封装

应用
 切换应用程序

1 电气额定值
表 2:绝对最大额定值
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-source voltage40V
VGSGate-source voltage± 20V
(1)
ID
Drain current (continuous) at TC  = 25 °C120A
(1)
ID
Drain current (continuous) at TC  = 100 °C120A
(1)(2)
IDM
Drain current (pulsed)480A
PTOTTotal dissipation at TC  = 25 °C188W
IAVAvalanche current, repetitive or not repetitive (pulse width limited by maximum junction temperature)48A
EASSingle pulse avalanche energy (Tj = 25 °C, ID  = 24 A, VDD  = 25 V)280mJ
TjOperating junction temperature range-55 to
175
°C
TstgStorage temperature range
注意:
(1) 漏极电流受封装限制,硅片在 25°C 时的电流容量为 310 A。
(2)脉冲宽度受安全工作区限制

表 3:热数据
SymbolParameterValueUnit
Rthj-pcb(1)Thermal resistance junction-pcb max.31.3°C/W
Rthj-caseThermal resistance junction-case max.0.8°C/W
注:(1)当安装在1英寸²、2盎司铜的FR-4板上时,t < 10 s。

2 电气特性(TC = 25 °C,除非另有说明)
表 4:开/关状态
SymbolParameterTest conditionsMin.Typ.Max.Unit
V(BR)DSSDrain-source breakdown voltageVGS = 0 V, ID= 250 μA40V
IDSSZero gate voltage drain currentVGS = 0 V VDS= 40 V1µA
IGSSGate-body leakage currentVGS = 20 V, VDS  = 0 V100nA
VGS(th)Gate threshold voltageVDS = VGS, ID  = 250 μA24V
RDS(on)Static drain-source on-resistanceVGS = 10 V, ID = 24 A0.91.1

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