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[资料] STLD257N4F7AGN沟道40V 0.82mΩ(典型值)120A STripFET™ F7功率MOSFET

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发表于 2022-12-1 10:35:16 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市

stld257n4f7ag.jpg
这款N沟道功率MOSFET采用STripFET™ F7技术,具有增强型沟槽栅极结构,可实现非常低的导通电阻,同时还可降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快和更有效的开关。
- 符合AEC-Q101标准
- 市场上最低的RDS(on)之一
- 优异的FoM(功绩值)
- 低Crss/Ciss比率的EMI抗扰度
- 高雪崩坚固性 - 可湿式侧翼封装

1 电气额定值
表 1. 绝对最大额定值
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-source voltage40V
VGSGate-source voltage±20V
(1)(2)
ID
Drain current (continuous) at TC = 25 °C120A
(1)(2)
ID
Drain current (continuous) at TC = 100 °C120A
IDM(2)(3)Drain current (pulsed)480A
(2)
PTOT
Total power dissipation at TC = 25 °C158W
TJOperating junction temperature range-55 to 175°C
TstgStorage temperature range
1. 受套餐限制
2. 该值根据 Rthj-case 底部额定值。
3.脉冲宽度受安全工作区限制

表 2. 热数据
SymbolParameterValueUnit
Rthj-c top sideThermal resistance junction-case top side2.90°C/W
Rthj-c bottom sideThermal resistance junction-case bottom side0.95
(1)
Rthj-pcb
Thermal resistance junction-pcb31.3

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