立即注册
查看: 392|回复: 0

[资料] 雪崩光电二极管针对高截止频率进行优化设计(650nm至850nm波段

已绑定手机
发表于 2022-12-5 17:16:43 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
得益于高增益和高速的特性,该系列雪崩光电二极管适用于众多工业应用领域,其中包括距离测量、激光扫描、光通信等。

特性
  • 在800nm波段具有最高灵敏度
  • 针对高速特性进行设计优化
  • 低温度系数
  • 快速上升时间
  • 可有效降低偏置水平
  • 低电容


应用电路
应用电路.png

应用说明
• 将包括保护环在内的所有阴极保持在虚拟或实际接地电位 [GND = 0 V]。
• 单个二极管阴极(包括保护环)绝不能浮动或与GND 电位断开。
• 任何二极管阴极和 GND 之间的最大电压差为 +3 V / -0.3 V
• 必须允许光电流随时流出或流入任何虚地或实地。所以直流输入电阻
放大器的电阻不得为千兆欧姆(因为 MOS 输入通常是)。
• 如果有多个光电二极管被保护二极管包围,则每个像素的单通道输入是处理输出数据的最佳方式。或者,可以使用模拟开关。开关矩阵必须确保除实际测量的像素外,包括保护二极管在内的所有像素都连接到 GND。
• 建议在反向操作直流电压线路中使用安全限流器。任何过载都可能在设备中产生热量和/或在跨阻放大器或模拟开关的输入结构中产生不可逆的击穿。
• 图1 显示了一个示例电路,包括信号传输二极管S1 和保护环二极管G1 和G2。
保护环二极管 G1 和 G2 在芯片上连接在一起。象限器件具有 4 个信号传输二极管 S1 至 S4 和一个环绕的保护环二极管,而不是图 1 中绘制的两个保护环二极管 G1 和 G2。
然而,opera7on 模式与数组中的模式完全相同。
• 击穿电压和因此选择的工作点随温度变化(参见数据表温度系数)。
• 应控制工作反向电压以补偿器件的任何温度变化。
• :租约;所有雪崩阵列类型设备中的间隙区域(包括 uadrants)对光不敏感。
• 每个设备必须至少将保护环二极管连接到电路一次。
同一个电位的多个连接是可能的。
• 外部光屏蔽金属处于背面电位并且可能与背面电位结合。
如果使用此连接而不是真正的低电阻背面接触,则信号路径中的寄生电阻可能会增强,具体取决于芯片尺寸。
• 电流应由保护电阻或限流- 电源内部的IC 来限制。
• 对于弱光应用,应使用阻挡环境光的方法。
• 对于高增益应用,偏置电压应进行温度补偿。
• :处理时请考虑基本的ESD 保护。
• 使用低噪声读出 - IC。
• 提供优化的A:D 电源和评估套件。访问我们的网站。

游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复


您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

合作/建议

TEL: 19168984579

工作时间:
周一到周五 9:00-11:30 13:30-19:30
  • 扫一扫关注公众号
  • 扫一扫打开小程序
Copyright © 2013-2024 一牛网 版权所有 All Rights Reserved. 帮助中心|隐私声明|联系我们|手机版|粤ICP备13053961号|营业执照|EDI证
在本版发帖搜索
扫一扫添加微信客服
QQ客服返回顶部
快速回复 返回顶部 返回列表