海力士H5TQ2G63GFR-TEC-FBGA96-hynix 2Gb DDR3 内存

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quanquan

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发表于 2023-1-4 14:39 | 显示全部楼层 |阅读模式来自中国广东深圳

H5TQ2G83GFR-xxC, H5TQ2G63GFR-xxC,H5TQ2G83GFR-xxI, H5TQ2G63GFR-xxI, H5TQ2G83GFRxxL,H5TQ2G63GFR-xxL,H5TQ2G83GFR-xxJ,H5TQ2G63GFR-xxJ是一种2147,483,648位CMOS双数据速率III (DDR3)同步DRAM，非常适合需要大内存密度和高带宽的主内存应用。SK海力士2Gb DDR3 SDRAM提供了时钟上升沿和下降沿的完全同步操作。当所有地址和控制输入锁存在CK的上升沿(CK的下降沿)时，数据、数据频闪和写数据掩码输入在CK的上升沿和下降沿上采样。数据路径是内部流水线和8位预取，以实现非常高的带宽。

特征
• VDD=VDDQ=1.5V +/- 0.075V
• 全差分时钟输入（CK、CK）操作
• 差分数据选通 (DQS, DQS)
• 片上 DLL 将 DQ、DQS 和 DQS 转换与 CK 转换对齐
• DM 掩码在数据选通脉冲的上升沿和下降沿写入数据
• 除数据、数据选通和数据掩码外的所有地址和控制输入锁存于时钟的上升沿
• 支持可编程 CAS 延迟 5、6、7、8、9、10、11、12、13 和 14
• 支持可编程附加延迟 0、CL-1 和 CL-2
• 可编程 CAS 写入延迟 (CWL) = 5、6、7、8、9 和 10
• 可编程突发长度 4/8，具有半字节顺序和交错模式
• BL 即时切换
• 8banks
• 平均刷新周期 (Tcase 0 ℃~ 95 ℃)
- 0℃ ~ 85 ℃ 时为 7.8 μs
- 85℃ ~ 95℃ 时为 3.9 μs
商业温度( 0℃ ~ 95 ℃)
工业温度( -40℃ ~ 95 ℃)
• JEDEC 标准 78 球 FBGA(x8)、96 球 FBGA(x16)
• 由 EMRS 选择的驱动强度
• 支持动态片上终端
• 支持异步复位引脚
• 支持 ZQ 校准
• 支持 TDQS（终端数据选通）（仅限 x8）
• 支持写电平化
• 8 bit pre-fetch

订购信息

Part No.	Configuration	Power Consumption	Temperature	Package
H5TQ2G83GFR-*xxC	256M x 8	Normal Consumption	Commercial	78ball FBGA
H5TQ2G83GFR-*xxI		Normal Consumption	Industrial
H5TQ2G83GFR-*xxL		Low Power Consumption (IDD6 Only)	Commercial
H5TQ2G83GFR-*xxJ		Low Power Consumption (IDD6 Only)	Industiral
H5TQ2G63GFR-*xxC	128M x 16	Normal Consumption	Commercial	96ball FBGA
H5TQ2G63GFR-*xxI		Normal Consumption	Industrial
H5TQ2G63GFR-*xxL		Low Power Consumption (IDD6 Only)	Comercial
H5TQ2G63GFR-*xxJ		Low Power Consumption (IDD6 Only)	Industrial

* xx 表示速度等级

运行频率

Speed Grade (Marking)	Frequency [Mbps]										Remark (CL-tRCD-tRP)
Speed Grade (Marking)	CL5	CL6	CL7	CL8	CL9	CL10	CL11	CL12	CL13	CL14	Remark (CL-tRCD-tRP)
-H9	667	800	1066	1066	1333	1333					DDR3-1333 9-9-9
-PB	667	800	1066	1066	1333	1333	1600				DDR3-1600 11-11-11
-RD		800	1066	1066	1333	1333	1600		1866		DDR3-1866 13-13-13
-TE		800	1066	1066	1333	1333	1600		1866	2133	DDR3-2133 14-14-14