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[单片机资料] 美信MAX17558 60V、双输出、同步降压控制器datasheet

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发表于 2023-1-6 14:20:39 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
MAX17558是一款双输出、同步降压控制器,可驱动nMOSFET。
该器件具有峰值电流模式、恒定频率结构,使其工作频率最高可达2.2MHz。该器件可配置为两个单相、独立的10A电源,或配置为一个双相、单输出的20A电源。该器件还提供了使两个控制器180°离相运行的能力,以减少输入电容ESR引起的功率损失和噪音。
该IC支持使用外部电流感应电阻进行电流感应,以提高精确度,或使用电感器DCR以提高系统效率。电流折返限制了短路条件下的MOSFET功率耗散。
该IC为每个输出提供独立可调的软启动,并可单调地启动为预偏置输出。该IC可以配置为PWM或DCM工作模式,这取决于是否需要恒频工作或轻载效率。
该IC在-40°C至+125°C的温度范围内工作,采用无铅、32引脚TQFN、5mm * 5mm封装,有一个外露焊盘。

应用
●● 工业电源
●● 分布式直流电源系统
●● 运动控制
●● 可编程逻辑控制器
●● 电脑数字控制

优点和特点
●● 操作范围广
• 4.5V 至 60V 的宽输入电压范围
• 0.8V 至 24V 的宽输出电压范围
• RSENSE 或电感器 DCR 电流检测
• 可选择同相或 180° 异相操作
• 可调 100kHz 至 2.2MHz 开关频率
• 独立使能和 PGOOD
• 采用无铅 (Pb) 32 引脚、5mm * 5mm TQFN-EP 封装
●● 提高电源效率
• 高效率的低阻抗栅极驱动
• 轻负载下的 DCM 操作
• 辅助自举 LDO
●● 在恶劣的工业环境中可靠运行
• 独立可调软启动或跟踪
• 短路条件下的电流折返限制 MOSFET 的热耗散
• 在 -40°C 至 +125°C 温度范围内工作
• 输出过压和过温保护

框图

框图

框图


绝对最大额定值
输入到 GND ............................................... ...............-0.3V 至 +70V
CS_+ 到 GND ............................................... ............-0.3V 至 +40V
CS_+ 到 CS_-................................................ ............-0.3V 至 +0.3V
LX_、BST_ 到 PGND................................................ .-0.3V至+70V
BST_ 到 LX_................................................ ...............-0.3V 至 +6V
BST_ 到 VCCINT ............................................... ......-0.3V至+70V
DH_ 到 LX_................................................-0.3 V 至 (VBST_ + 0.3)V
DL_ 至 PGND ..................................... -0.3V 至 (VCCINT + 0.3 )V
EN_ 到 GND ............................................................... ...............-0.3V 至 +6V
VCCINT 到 GND ............................................... .........-0.3V 至 +6V
VCCEXT 到 GND ............................................... ......-0.3V至+26V
PGND 到 GND ............................................... .........-0.3V 至 +0.3V
PGOOD_ 至 GND ............................................................... ......-0.3V至+6V
FB_、COMP_、SS_、RT、SKIP、SEL_PH、
ILIM................................................ .. -0.3V 至 (VCCINT + 0.3)V
GND 到 EP ............................................................... ...............-0.3V 至 +0.3V
+70°C 时的连续功耗
(多层板)................................................ .......2758.6mW
功率降额(多层板)......................................34.5 mW/°C
工作温度范围...................... -40°C 至 +125°C
最高结温......................................................+150°C
存储温度范围...................... -65°C 至 +160°C
引线温度(焊接,10 秒)......................................+300°

电气特性
PARAMETERSYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITS
INPUT SUPPLY
Input Voltage RangeVIN4.560V
VCCINT = VIN4.55.5
Operating Supply Current (Note 3)IINSKIP = open, LX_ = PGND, BST_ = 5V EN1 = open, EN2 = GND, VFB1 = 0.84V or EN2 = open, EN1 = GND, VFB2 = 0.84V0.51.52.0mA
SKIP = open, LX_ = PGND, BST_ = 5V EN1 = EN2 = open, VFB1 = VFB1 = 0.84V12.53.5
SKIP = VCCINT, LX_ = PGND, BST_ = 5V EN1 = open, EN2 = GND, VFB1 = 0.76V or EN2 = open, EN1 = GND, VFB2 = 0.76V11.83.5mA
SKIP = VCCINT, LX_ = PGND,BST_=5V EN1 = EN2 = open, VFB1 = VFB1 = 0.76V1.53.25
Shutdown Supply CurrentEN1 = EN2 = GND1020µA

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