BD9E151ANUX是具有高输入电压28V的
二极管校正降压转换器,集成了功率MOSFET。 由于采用了二极管校正,在轻度负载下脉冲会自动跳过,并保持高效率。此外,它还可用于电池供电的应用,因为电源电流很小,关机时为0uA。由于可以使用陶瓷电容,而且通过电流模式控制和外部设置相位补偿,它可以很容易地用宽范围的外部零件制作一个小型电源,并具有高速路响应。
特征
宽输入范围(VIN = 6 V 至 28 V)
30 V / 80 mΩ 集成功率 MOSFET
600 kHz(典型值)高频操作
内置参考电压 (1.0 V ± 1.0 %)
内置过流保护(OCP)、欠压锁定(UVLO)、过压保护(
OVP)、热关断(TSD)
待机模式 (IIN = 0 μA)
VSON008X2030 小封装
应用
监控摄像头应用
消费类 12 V、24 V 总线系统
办公自动化应用
主要规格
输入电压范围:6 V 至 28 V
参考电压精度 (Ta = 25 °C):1 V ± 1.0 %
最大输出电流:1.2 A(最大)
工作温度范围:-40 °C 至 +85 °C
封装 W(典型值)* D(典型值)* H(最大值)
VSON008X2030 2.0 毫米 * 3.0 毫米 * 0.6 毫米
典型应用电路
典型应用电路
框图
框图
绝对最大额定值 (Ta = 25 °C)
Parameter | Symbol | Rating | Unit |
Supply Voltage | VIN | 30 | V |
BST – GND | VBST | 37 | V |
BST – LX | ∆VBST | 7 | V |
EN – GND | VEN | 30 | V |
LX – GND | VLX | 30 | V |
FB – GND | VFB | 7 | V |
VC – GND | VVC | 7 | V |
SS – GND | VSS | 7 | V |
Power MOSFET Current | IDH | 1.6 | A |
Maximum Junction Temperature | Tjmax | 150 | °C |
Storage Temperature Range | Tstg | -55 to +125 | °C |