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[单片机资料] 德州仪器LM74502-Q1、LM74502H-Q1汽车类低IQ反极性保护控制器

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发表于 2023-2-12 10:00:03 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
LM74502-Q1、LM74502H-Q1 是符合汽车 AEC-Q100标准的控制器,与外部背对背连接的 N 沟道 MOSFET配合工作,可实现低损耗反极性保护和负载断开解决方案。3.2V 至 65V 的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压(例如:12V、24V 和 48V 汽车电池系统)的控制。3.2V 输入电压支持适用于汽车系统中严苛的冷启动要求。该器件可以承受并保护负载免受低至– 65V 的负电源电压的影响。LM74502-Q1 、LM74502H-Q1 没有反向电流阻断功能,适用于对有可能将能量传输回输入电源的负载(如汽车车身控制模块电机负载)提供输入反极性保护。
LM74502-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74502-Q1 的高电压额定值有助于简化满足 ISO7637 汽车保护测试标准的系统设计。当使能引脚处于低电平时,控制器关闭,消耗大约 1μA 的电流,从而在进入睡眠模式时提供低系统电流。LM74502-Q1 具有可编程的过压和欠压保护功能,可在发生这些故障时将负载从输入源切断。

1 特性
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
– 器件温度等级 1:
–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
– 器件 HBM ESD 分类等级 2
– 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
• 3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)
• -65V 输入反向电压额定值
• 集成电荷泵用于驱动
– 外部背对背 N 沟道 MOSFET
– 外部高侧开关 MOSFET
– 外部反极性保护 MOSFET
• 栅极驱动器型号
– LM74502-Q1:60μA 峰值栅极驱动拉电流能力
– LM74502H-Q1:11mA 峰值栅极驱动拉电流能力
• 2A 峰值栅极灌电流能力
• 1μA 关断电流(EN/UVLO = 低电平)
• 45μA 典型工作静态电流(EN/UVLO = 高电平)
• 可调节过压和欠压保护
• 采用额外的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 脉冲
1 瞬态要求
• 采用 8 引脚 SOT-23 封装 2.90mm * 1.60mm

2 应用
• 车身电子装置和照明
• 汽车信息娱乐系统 - 数字仪表组、音响主机
• 汽车 USB 集线器

LM74502-Q1 典型应用原理图

LM74502-Q1 典型应用原理图

LM74502-Q1 典型应用原理图

LM74502-Q1 具有过压保护功能的负载开关控制器

LM74502-Q1 具有过压保护功能的负载开关控制器

LM74502-Q1 具有过压保护功能的负载开关控制器

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