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LM749x0-Q1 理想二极管控制器驱动和控制外部背靠背 N 沟道 MOSFET,以模拟具有电源路径开/关控制以及过流和过压保护的理想二极管整流器。 3V 至 65V 的宽输入电源允许保护和控制 12V 和 24V 汽车电池供电的 ECU。 该器件可以承受低至 –65V 的负电源电压并保护负载免受负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 驱动第一个 MOSFET 以取代肖特基二极管以实现反向输入保护和输出电压保持。 借助电源路径中的第二个 MOSFET,该器件允许在发生过流和过压事件时使用 HGATE 控制进行负载断开(开/关控制)。 该器件集成了电流检测放大器,可通过可调过流和短路阈值提供准确的电流监控。 该器件具有可调节的过压切断保护功能。 该器件具有睡眠模式,可实现超低静态电流消耗 (6 μA),同时在车辆处于停车状态时为始终开启的负载提供刷新电流。 LM749x0-Q1 的最大额定电压为 65V。
1 特点
• AEC-Q100 符合汽车应用
– 设备温度等级 1:
–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
• 3V 至 65V 输入范围
• 反向输入保护低至 –65 V
• 在公共漏极配置中驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
• 具有 10.5mV A 至 C 正向压降调节的理想二极管操作
• 具有快速响应 (0.5 µs) 的低反向检测阈值 (–3 mV)
• 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
• 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
• 可调过流和短路保护
• 精度为 10% 的模拟电流监视器输出 (IMON)
• 可调节的过压和欠压保护
• 2.87µA 的低停机电流(EN=低)
• 具有 6µA 电流的睡眠模式(EN=高,睡眠=低)
• 通过合适的 TVS 二极管满足汽车 ISO7637 瞬态要求
• 提供节省空间的 24 引脚 VQFN 封装
2 应用
• 汽车电池保护
– ADAS 域控制器
– 显示ECU
– 汽车音响:外部放大器
• 用于冗余电源的主动 ORing
典型应用图
典型应用图
具有过流保护的设备启动
具有过流保护的设备启动
6 引脚配置和功能
图 6-1。 VQFN 24 引脚 RGE 透明顶视图
图 6-1。 VQFN 24 引脚 RGE 透明顶视图
7 规格
7.1 绝对最大额定值
| MIN | MAX | UNIT | Input Pins | A to GND | –65 | 70 | V | VS, CS+, CS-, ISCP, OUT, SLEEP_OV to GND | –1 | 70 | file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\clip_image2.pngSW, C, EN, SLEEP, FLT, UVLO, OV to GND, V(A) > 0 V | –0.3 | 70 | file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\ksohtml\clip_image3.pngSW, C, EN, SLEEP, FLT, UVLO, OV to GND, V(A) ≤ 0 V | V(A) | (70 + V(A)) | RTN to GND | –65 | 0.3 | ISW ,IFLT | –1 | 10 | mA | TMR, ILIM | –0.3 | 5.5 | V | IEN, IUVLO,IOV V(A) > 0 V | –1 | mA | IEN, IUVLO,IOV V(A) ≤ 0 V | Internally limited | | Input Pins | ISCP, CS+ to CS- | –0.3 | 0.3 | V | Output Pins | OUT to VS | –65 | 5 | V | CAP to VS | –0.3 | 15 | V | CAP to A | –0.3 | 85 | DGATE to A | –0.3 | 15 | FLT to GND | -0.3 | 70 | IMON | -1 | 5.5 | HGATE to OUT | –0.3 | 15 | Output to Input Pins | C to A | –5 | 85 | Operating junction temperature, Tj (2) | –40 | 150 | °C | Storage temperature, Tstg | –40 | 150 |
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