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[资料] 瑞萨RMLV1616A-U系列16-Mbit异步SRAM datasheet

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发表于 2023-2-13 17:01:07 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
RMLV1616A-U系列是由1,048,576-字*16位组成的16-Mbit异步SRAM系列。 RMLV1616A-U系列通过瑞萨独特的Advanced LPSRAM技术,与典型的片上ECC的SRAM相比,实现了更高的抗软错误能力。因此,它适用于电池备份系统。 它提供48针TSOP(I)或48球细间距球栅阵列。

特征
 超低待机电流消耗:
── ~ 25°C:0.4μA(典型值)/ 3μA(最大值)
── ~ 85°C:4.4μA(典型值)/ 8μA(最大值)
 高速访问时间:45ns / 55ns(最大)
 与具有片上 ECC 的典型 SRAM 相比,具有更高的软错误抗扰度 (< 0.04 FIT/Mb)*1
 单 3V 电源:2.7V 至 3.6V
 有组织的 1,048,576 字 * 16 位
(48pin TSOP (I) 也可配置为 2,097,152-word * 8bit)
 通过 CS1# 和 CS2 轻松扩展内存
 没有时钟,没有刷新
 公共数据输入和输出
── 三态输出
 直接兼容 TTL
── 所有输入输出
 电池备份操作
 提供无铅和 RoHS 适用封装

管脚排列
管脚排列.png

引脚说明
Pin nameFunction
A0 to A19Address input (word mode)
A-1 to A19Address input (byte mode)
I/O0 to I/O15Data input/output
CS1#Chip select 1
CS2Chip select 2
WE#Write enable
OE#Output enable
LB#Lower byte select
UB#Upper byte select
BYTE#Byte enable
VCCPower supply
VSSGround
NC*2No connection


框图
框图.png

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