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[单片机资料] 美信MAX8520/MAX8521用于光学模块的最小TEC功率驱动器datasheet

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发表于 2023-3-5 12:00:05 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
MAX8520/MAX8521设计用于驱动空间有限的光学模块中的热电冷却器(TEC)。这两款器件提供±1.5A的输出电流,并控制TEC电流以消除有害的电流浪涌。片上FET最大限度地减少了外部元件,高开关频率减少了外部元件的尺寸。
MAX8520/MAX8521采用单电源工作,在两个同步降压稳压器的输出之间对TEC进行偏置。这种操作允许在低电流时实现无 "死区 "或其他非线性的温度控制。这种安排确保了在设定点非常接近自然工作点时,控制系统不会出现跳动,需要少量的加热或冷却。一个模拟控制信号精确地设定了TEC电流。
这两种设备都具有精确的、可单独调整的加热电流限制和冷却电流限制,以及最大的TEC电压限制,以提高光模块的可靠性。一个模拟输出信号监测TEC电流。一个独特的纹波消除方案有助于减少噪音。
MAX8520采用5mm * 5mm TQFN封装,其开关频率可通过一个外部电阻器调节至1MHz。MAX8521也有5mm x 5mm TQFN以及节省空间的3mm * 3mm UCSP™和36凸块WLP(3mm * 3mm)封装,其引脚可选择的开关频率为500kHz或1MHz。

应用
  • SFF/SFP 模块
  • 光纤激光模块
  • 光纤网络设备
  • ATE
  • 生物技术实验室设备

特征
  • 电路占地面积 0.31in2
  • 薄型设计
  • 片上功率 MOSFET
  • 高效开关模式设计
  • 低噪声纹波消除
  • 直流控制可防止 TEC 电流浪涌
  • 5% 精确可调加热/冷却电流限制
  • 2% 准确的 TEC 电压限制
  • 低输出电流时无死区或振荡
  • ITEC 监测 TEC 电流
  • 1% 准确电压基准
  • 开关频率高达 1MHz
  • 同步(MAX8521)

典型工作电路
典型工作电路.png

绝对最大额定值
VDD 到 GND ............................................................... ...............-0.3V 至 +6V
SHDN、MAXV、MAXIP、MAXIN、
CTLI 到 GND ............................................... ..........-0.3V至+6V
COMP、频率、OS1、OS2、CS、REF、
ITEC 到 GND .....................................-0.3V 到 (VDD + 0.3V)
PVDD1, PVDD2 至 GND ...............................-0.3V 至 (VDD + 0.3V)
PVDD1、PVDD2 至 VDD................................................-0.3V 到+0.3V
PGND1, PGND2 至 GND ...............................................-0.3V 至 +0.3 V
COMP、REF、ITEC 短接 GND ...............................................不确定
LX 电流(注 1)......................................±2.25A LX 当前的
连续功耗 (TA = +70°C)
6 x 6 UCSP(在 +70°C 以上降额 22mW/°C) ...............1.75W
20 引脚 5mm x 5mm x 0.9mm TQFN(降额 20.8mW/°C
+70°C 以上)(注 2)................................................ ............1.67W
36 焊球 WLP(在 +70°C 以上降额 22mW/°C)......1.75W
工作温度范围......................-40°C 至 +85°C
最大结温...................................... +150°C
存储温度范围................................-65°C 至 +150°C
引线温度(焊接,10s)................................+300°C
焊接温度(回流焊)
无铅 (Pb)(TQFN、WLP)...................................... .+260°C
含铅 (UCSP)................................................ +240°C

电气特性
PARAMETERSYMBOL
CONDITIONS
MINTYPMAXUNITS
Input Supply RangeVDD
3.05.5V
Maximum TEC Current
±1.5A
Reference VoltageVREF
VDD = 3V to 5.5V, IREF = 150µA
1.4851.5001.515V
Reference Load Regulation△VREF
VDD = 3V to 5V, IREF = 10µA to 1mA
1.25.0mV
MAXIP/MAXIN Threshold AccuracyVDD = 5VVMAXI_ = VREF140150160mV
VMAXI_ = VREF/3405060
VDD = 3VVMAXI_ = VREF143150155
VMAXI_ = VREF/3455055
nFET On-ResistanceRDS(ON-N)
VDD = 5V, I = 0.2A
0.090.14Ω
VDD = 3V, I = 0.2A
0.110.16
pFET On-ResistanceRDS(ON-P)
VDD = 5V, I = 0.2A
0.140.23Ω
VDD = 3V, I = 0.2A
0.170.30
nFET LeakageILEAK(N)
VLX = VDD = 5V, TA = +25℃
0.034.00µA
VLX = VDD = 5V TA = +85℃
0.3
pFET LeakageILEAK(P)
VLX = 0V, TA = +25℃
0.034.00µA
VLX = 0V, TA = +85℃
0.3

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