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[资料] ASE28N50-ASEMI高压MOS管ASE28N50

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发表于 2023-2-15 14:35:22 | 显示全部楼层 |阅读模式 来自 广东省深圳市
编辑:ll
ASE28N50-ASEMI高压MOSASE28N50
型号:ASE28N50
品牌:ASEMI
封装:TO-247
最大漏源电流:28A
漏源击穿电压:500V
RDSONMax0.2Ω
引脚数量:3
芯片个数:
沟道类型:N沟道MOS管、中低压MOS
漏电流:ua
特性:N沟道MOS管、场效应管
工作温度:-55~175
备受欢迎的ASE28N50 MOS
  ASEMI品牌ASE28N50是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了ASE28N50的最大漏源电流28A,漏源击穿电压500V.
•细节体现差距
ASE28N50,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。
ASE28N50具体参数为:最大漏源电流:28A,漏源击穿电压:500V,反向恢复时间: ns,封装:TO-247
ASE28N50-ASEMI.jpg ASE28N50-ASEMI-1.jpg ASE28N50-ASEMI-2.jpg


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