编辑:ll ASE28N50-ASEMI高压MOS管ASE28N50 型号:ASE28N50 品牌:ASEMI 封装:TO-247 最大漏源电流:28A 漏源击穿电压:500V RDS(ON)Max:0.2Ω 引脚数量:3 沟道类型:N沟道MOS管、中低压MOS管 漏电流:ua 特性:N沟道MOS管、场效应管 工作温度:-55℃~175℃ 备受欢迎的ASE28N50 MOS管 ASEMI品牌ASE28N50是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了ASE28N50的最大漏源电流28A,漏源击穿电压500V. •细节体现差距 ASE28N50,ASEMI品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。 ASE28N50具体参数为:最大漏源电流:28A,漏源击穿电压:500V,反向恢复时间: ns,封装:TO-247
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